High volume transfer of high viscosity silver pastes using Laser Direct-Write Processing for metallization of c-Si cells

Morales Furió, Miguel; Chen, Yu; Muñoz Martín, David; Lauzurica Santiago, Sara y Molpeceres Alvarez, Carlos Luis (2015). High volume transfer of high viscosity silver pastes using Laser Direct-Write Processing for metallization of c-Si cells. En: "Laser-based Micro- and Nanoprocessing IX", 07th February 2015, San Francisco (EEUU). pp. 1-7.

Descripción

Título: High volume transfer of high viscosity silver pastes using Laser Direct-Write Processing for metallization of c-Si cells
Autor/es:
  • Morales Furió, Miguel
  • Chen, Yu
  • Muñoz Martín, David
  • Lauzurica Santiago, Sara
  • Molpeceres Alvarez, Carlos Luis
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Otro)
Título del Evento: Laser-based Micro- and Nanoprocessing IX
Fechas del Evento: 07th February 2015
Lugar del Evento: San Francisco (EEUU)
Título del Libro: Laser-based Micro- and Nanoprocessing IX
Fecha: 2015
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Industriales (UPM)
Departamento: Física Aplicada e Ingeniería de Materiales
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

The main objective of this work is to adapt Laser Induced Forward Transfer (LIFT), a well-known laser direct writing technique for material transfer, to define metallic contacts (fingers and busbars) onto c-Si cells. A layer of a commercial silver paste (viscosity around 30-50 kcPs), with thickness in the order of tens of microns, is applied over a glass substrate using a coater.. The glass with the silver paste is set at a controlled gap over the c-Si cell. A solid state pulsed laser (532 nm) is focused on the glass/silver interface producing a droplet of silver that it is transferred to the acceptor substra.te The process parameters (silver paste thickness, gap and laser parameters -spot size, pulse energy and overlapping of pulses) are modified and the morphology of the voxels is studied using confocal microscopy. Long lines are printed with a scanner and their uniformity, width, and height are studied. Examples of metallization of large areas (up to 10 cm x 10 cm) over c-Si cells are presented.

Proyectos asociados

TipoCódigoAcrónimoResponsableTítulo
FP7FP7-2013-NMP-ICT-FOF. 609355APPOLOVALSTYBINIS MOKSLINIU TYRIMU INSTITUTAS FIZINIU IR TECHNOLOGIJOS MOKSLU CENTRASHub of Application Laboratories for Equipment Assessment in Laser Based Manufacturing
Gobierno de EspañaENE2011-23359Sin especificarSin especificarSimulación de procesos laser en la industria fotovoltaica
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Más información

ID de Registro: 42299
Identificador DC: http://oa.upm.es/42299/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:42299
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 29 Jun 2016 15:52
Ultima Modificación: 26 May 2017 15:05
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