Enhanced signal micro-raman study of SiGe nanowires and SiGe/Si nanowire axial heterojuntions grown using Au and Ga-Au catalysts

Anaya, Julián; Torres Pérez, Alfredo; Jiménez, Juan; Prieto, Carmelo; Rodriguez Dominguez, Andres; Rodriguez Rodriguez, Tomas y Ballesteros Pérez, Carmen Inés (2015). Enhanced signal micro-raman study of SiGe nanowires and SiGe/Si nanowire axial heterojuntions grown using Au and Ga-Au catalysts. En: "Materials Reseracrh Society 2014 Fall Meeting", 30/11/2014 - 05/12/2014, Boston, Massachusetts, EE.UU. pp. 1-6. https://doi.org/10.1557/opl.2015.88.

Descripción

Título: Enhanced signal micro-raman study of SiGe nanowires and SiGe/Si nanowire axial heterojuntions grown using Au and Ga-Au catalysts
Autor/es:
  • Anaya, Julián
  • Torres Pérez, Alfredo
  • Jiménez, Juan
  • Prieto, Carmelo
  • Rodriguez Dominguez, Andres
  • Rodriguez Rodriguez, Tomas
  • Ballesteros Pérez, Carmen Inés
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Artículo)
Título del Evento: Materials Reseracrh Society 2014 Fall Meeting
Fechas del Evento: 30/11/2014 - 05/12/2014
Lugar del Evento: Boston, Massachusetts, EE.UU
Título del Libro: Materials Reseracrh Society 2014 Fall Meeting
Fecha: 2015
Volumen: 1751
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

Texto completo

[img]
Vista Previa
PDF (Document Portable Format) - Se necesita un visor de ficheros PDF, como GSview, Xpdf o Adobe Acrobat Reader
Descargar (1MB) | Vista Previa

Resumen

MicroRaman spectroscopy was used for the characterization of heterostructured SiGe/Si nanowires. The NWs were grown with alloyed AuGa catalysts droplets with different Ga compositions aiming to make more abrupt heterojunctions. The heterojunctions were first characterized by TEM; then the NWs were scanned by the laser beam in order to probe the heterojunction. The capability of the MicroRaman spectroscopy for studying the heterojunction is discussed. The results show that the use of catalysts with lower Ge and Si solubility (AuGa alloys) permits to achieve more abrupt junctions.

Más información

ID de Registro: 42614
Identificador DC: http://oa.upm.es/42614/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:42614
Identificador DOI: 10.1557/opl.2015.88
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 11 Jul 2016 18:25
Ultima Modificación: 11 Jul 2016 18:25
  • Open Access
  • Open Access
  • Sherpa-Romeo
    Compruebe si la revista anglosajona en la que ha publicado un artículo permite también su publicación en abierto.
  • Dulcinea
    Compruebe si la revista española en la que ha publicado un artículo permite también su publicación en abierto.
  • Recolecta
  • e-ciencia
  • Observatorio I+D+i UPM
  • OpenCourseWare UPM