2-D and 3-D TCAD simulations of defect-tolerant solar cell architectures

Berney Needleman, David; Wagner, Hannes; Altermatt, Pietro P.; Cañizo Nadal, Carlos del y Buonassisi, Tonio (2015). 2-D and 3-D TCAD simulations of defect-tolerant solar cell architectures. En: "25th Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells Materials and Processes", 26/07/2015 - 29/07/2015, Keystone, Colorado, EE.UU. p. 1.

Descripción

Título: 2-D and 3-D TCAD simulations of defect-tolerant solar cell architectures
Autor/es:
  • Berney Needleman, David
  • Wagner, Hannes
  • Altermatt, Pietro P.
  • Cañizo Nadal, Carlos del
  • Buonassisi, Tonio
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Póster)
Título del Evento: 25th Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells Materials and Processes
Fechas del Evento: 26/07/2015 - 29/07/2015
Lugar del Evento: Keystone, Colorado, EE.UU
Título del Libro: 25th Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells Materials and Processes
Fecha: 2015
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Electrónica Física
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

We use 2-D and 3-D TCAD simulations in Sentaurus Device to determine the injection-dependent device performance impacts of point defects (e.g., Fei) and extended defects (e.g., grain boundaries). We identify features of device design that contribute to defect tolerance.

Más información

ID de Registro: 43680
Identificador DC: http://oa.upm.es/43680/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:43680
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 24 Oct 2016 19:26
Ultima Modificación: 24 Oct 2016 19:26
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