Nanostructures with Group IV nanocrystals obtained by LPCVD and thermal annealing of SiGeO layers

Morana, B.; Rodríguez Domínguez, Andrés; Sangrador García, Jesús; Rodríguez Rodríguez, Tomás; Martínez de Quel Pérez, Óscar; Jiménez Leube, Francisco Javier y Kling, Andreas (2008). Nanostructures with Group IV nanocrystals obtained by LPCVD and thermal annealing of SiGeO layers. En: "Spring Meeting 2008, Materials Research Society", 24/03/2008-28/03/2008, San Francisco, California, EEUU.

Descripción

Título: Nanostructures with Group IV nanocrystals obtained by LPCVD and thermal annealing of SiGeO layers
Autor/es:
  • Morana, B.
  • Rodríguez Domínguez, Andrés
  • Sangrador García, Jesús
  • Rodríguez Rodríguez, Tomás
  • Martínez de Quel Pérez, Óscar
  • Jiménez Leube, Francisco Javier
  • Kling, Andreas
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Artículo)
Título del Evento: Spring Meeting 2008, Materials Research Society
Fechas del Evento: 24/03/2008-28/03/2008
Lugar del Evento: San Francisco, California, EEUU
Título del Libro: Amorphous and Polycristalline Silicon Science and Technology 2008
Fecha: 2008
Volumen: 1066
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Tecnología Electrónica [hasta 2014]
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Nanocrystals embedded in an oxide matrix have been fabricated by annealing SiGeO films deposited by LPCVD. The composition of the oxide layers and its evolution after annealing as well as the presence and nature of nanocrystals in the films have been studied by several experimental techniques. The results are analyzed and discussed in terms of the main deposition parameters and the annealing temperature.

Más información

ID de Registro: 4402
Identificador DC: http://oa.upm.es/4402/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:4402
URL Oficial: http://www.mrs.org/s_mrs/sec.asp?CID=13907&DID=209198
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 28 Sep 2010 10:22
Ultima Modificación: 20 Abr 2016 13:38
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