Márgenes de eficiencia de la biestabilidad óptica activa en semiconductores

Solís Ros, Javier; González Marcos, Ana y Martín Pereda, José Antonio (2009). Márgenes de eficiencia de la biestabilidad óptica activa en semiconductores. "Óptica Pura y Aplicada", v. 42 (n. 4); pp. 233-239. ISSN 2171-8814.

Descripción

Título: Márgenes de eficiencia de la biestabilidad óptica activa en semiconductores
Autor/es:
  • Solís Ros, Javier
  • González Marcos, Ana
  • Martín Pereda, José Antonio
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Óptica Pura y Aplicada
Fecha: 2009
Volumen: 42
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Tecnología Fotónica [hasta 2014]
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

La importancia de la biestabilidad óptica activa es un hecho conocido, pero el uso de este efecto no lineal requiere de una correcta caracterización del dispositivo, que nos permita determinar las condiciones de polarización del mismo, para una función dada, entre las diversas aplicaciones que ofrece. El presente trabajo describe la metodología empleada para la caracterización de un diodo láser mediante herramientas CAD comerciales. Se presentan los resultados de los parámetros más característicos, contraste y anchura de histéresis, en las condiciones estándar para poder identificar los márgenes de eficiencia.

Más información

ID de Registro: 44263
Identificador DC: http://oa.upm.es/44263/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:44263
URL Oficial: http://www.sedoptica.es/Menu_Volumenes/Pdfs/351.pdf
Depositado por: Dr. Ana P. Gonzalez-Marcos
Depositado el: 09 Ene 2017 07:44
Ultima Modificación: 09 Ene 2017 07:44
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