Márgenes de eficiencia de la biestabilidad óptica activa en semiconductores

Solís Ros, Javier and González Marcos, Ana and Martín Pereda, José Antonio (2009). Márgenes de eficiencia de la biestabilidad óptica activa en semiconductores. "Óptica Pura y Aplicada", v. 42 (n. 4); pp. 233-239. ISSN 2171-8814.

Description

Title: Márgenes de eficiencia de la biestabilidad óptica activa en semiconductores
Author/s:
  • Solís Ros, Javier
  • González Marcos, Ana
  • Martín Pereda, José Antonio
Item Type: Article
Título de Revista/Publicación: Óptica Pura y Aplicada
Date: 2009
Volume: 42
Subjects:
Faculty: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Department: Tecnología Fotónica [hasta 2014]
Creative Commons Licenses: Recognition - No derivative works - Non commercial

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Abstract

La importancia de la biestabilidad óptica activa es un hecho conocido, pero el uso de este efecto no lineal requiere de una correcta caracterización del dispositivo, que nos permita determinar las condiciones de polarización del mismo, para una función dada, entre las diversas aplicaciones que ofrece. El presente trabajo describe la metodología empleada para la caracterización de un diodo láser mediante herramientas CAD comerciales. Se presentan los resultados de los parámetros más característicos, contraste y anchura de histéresis, en las condiciones estándar para poder identificar los márgenes de eficiencia.

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Item ID: 44263
DC Identifier: http://oa.upm.es/44263/
OAI Identifier: oai:oa.upm.es:44263
Official URL: http://www.sedoptica.es/Menu_Volumenes/Pdfs/351.pdf
Deposited by: Dr. Ana P. Gonzalez-Marcos
Deposited on: 09 Jan 2017 07:44
Last Modified: 09 Jan 2017 07:44
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