Three-Bandgap absolute quantum efficiency in GaSb/GaAs quantum dot intermediate band solar cells

Ramiro Gonzalez, Iñigo; Antolín Fernández, Elisa; Hwang, J.; Teran, A.; Martin, A.J.; García-Linares Fontes, Pablo; Millunchick, J.; Phillips, J.; Martí Vega, Antonio y Luque López, Antonio (2016). Three-Bandgap absolute quantum efficiency in GaSb/GaAs quantum dot intermediate band solar cells. "IEEE Journal of Photovoltaics", v. PP (n. 99); pp. 1-5. ISSN 2156-3381. https://doi.org/10.1109/JPHOTOV.2016.2637658.

Descripción

Título: Three-Bandgap absolute quantum efficiency in GaSb/GaAs quantum dot intermediate band solar cells
Autor/es:
  • Ramiro Gonzalez, Iñigo
  • Antolín Fernández, Elisa
  • Hwang, J.
  • Teran, A.
  • Martin, A.J.
  • García-Linares Fontes, Pablo
  • Millunchick, J.
  • Phillips, J.
  • Martí Vega, Antonio
  • Luque López, Antonio
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: IEEE Journal of Photovoltaics
Fecha: Diciembre 2016
Volumen: PP
Materias:
Palabras Clave Informales: Absorption, Energy measurement, Gallium arsenide, Photovoltaic cells, Quantum dots, Silicon carbide, Temperature measurement, Characterization of PV, Intermediate band solar cells, quantum dots
Escuela: Instituto de Energía Solar (IES) (UPM)
Departamento: Electrónica Física
Grupo Investigación UPM: Silicio y Nuevos Conceptos para Células Solares
Licencias Creative Commons: Ninguna

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Resumen

In this work, we study type-II GaSb/GaAs quantum-dot intermediate band solar cells (IBSCs) by means of quantum efficiency (QE) measurements. We are able, for the first time, to measure an absolute QE which clearly reveals the three characteristic bandgaps of an IBSC; EG, EH, and EL, for which we found the values 1.52, 1.02, and 0.49 eV, respectively, at 9 K. Under monochromatic illumination, QE at the energies EH and EL is 10–4 and 10–8, respectively. These low values are explained by the lack of efficient mechanisms of completing the second sub-bandgap transition when only monochromatic illumination is used. The addition of a secondary light source (E = 1.32 eV) during the measurements produces an increase in the measured QE at EL of almost three orders of magnitude.

Proyectos asociados

TipoCódigoAcrónimoResponsableTítulo
Comunidad de MadridS2013/MAE-2780MADRID-PVProf. Antonio Martí VegaMateriales, dispositivos y tecnología para el desarrollo de la Industria fotovoltaica
Gobierno de EspañaTEC2015-64189-C3-1-RINVENTA-PVProf. Antonio Martí VegaSin especificar

Más información

ID de Registro: 44703
Identificador DC: http://oa.upm.es/44703/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:44703
Identificador DOI: 10.1109/JPHOTOV.2016.2637658
URL Oficial: http://ieeexplore.ieee.org/document/7797626/?reload=true
Depositado por: Prof. Antonio Martí Vega
Depositado el: 16 Feb 2017 12:11
Ultima Modificación: 16 Feb 2017 12:11
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