Manufacturing and characterization of III-V on silicon multijunction solar cells

Veinberg Vidal, Elias; Dupre, Cecilia; García-Linares Fontes, Pablo; Jany, Christophe; Thibon, Romain; Card, Tiphaine; Salvetat, Thierry; Scheiblin, Pascal; Brughera, Celine; Fournel, Frank; Desieres, Yohan; Veschetti, Yannick; Sanzone, Vincent; Mur, Pierre; Decobert, Jean y Datas Medina, Alejandro (2016). Manufacturing and characterization of III-V on silicon multijunction solar cells. "Energy Procedia", v. 92 ; pp. 242-247. ISSN 1876-6102. https://doi.org/10.1016/j.egypro.2016.07.066.

Descripción

Título: Manufacturing and characterization of III-V on silicon multijunction solar cells
Autor/es:
  • Veinberg Vidal, Elias
  • Dupre, Cecilia
  • García-Linares Fontes, Pablo
  • Jany, Christophe
  • Thibon, Romain
  • Card, Tiphaine
  • Salvetat, Thierry
  • Scheiblin, Pascal
  • Brughera, Celine
  • Fournel, Frank
  • Desieres, Yohan
  • Veschetti, Yannick
  • Sanzone, Vincent
  • Mur, Pierre
  • Decobert, Jean
  • Datas Medina, Alejandro
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Energy Procedia
Fecha: 2016
Volumen: 92
Materias:
Palabras Clave Informales: Solar cells; Photovoltaics; Multijunction; III-V on silicon; Direct wafer bonding
Escuela: E.T.S.I. Diseño Industrial (UPM)
Departamento: Ingeniería Eléctrica, Electrónica Automática y Física Aplicada
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Tandem GaInP/GaAs//Si(inactive) solar cells were manufactured by direct wafer bonding under vacuum. At this early stage, an inactive silicon substrate was used (i.e. n+ Si substrate instead of an active n-p Si junction). Bonded devices presented an Sshaped J-V curve with a kink close to Voc caused by a built-in potential barrier at the III-V//Si interface that reduces the fill factor and therefore the efficiency of the device by 7% compared to the stand-alone GaInP/GaAs tandem cells. Nevertheless, losses in Jsc and Voc caused by the bonding process, account for less than 10%. AlGaAs single junction cells, designed to be bonded on a silicon cell for low concentrator photovoltaics (LCPV), were also manufactured reaching an efficiency of 15.9% under one sun AM1.5G spectrum for a 2 cm² cell.

Más información

ID de Registro: 45640
Identificador DC: http://oa.upm.es/45640/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:45640
Identificador DOI: 10.1016/j.egypro.2016.07.066
URL Oficial: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1876610216304933
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 28 Abr 2017 10:35
Ultima Modificación: 28 Abr 2017 10:35
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