Limiting factors on the semiconductor structure of III-V multijunction solar cells for ultra-high concentration (1000-5000 suns)

Ochoa Gómez, Mario; Steiner, Myles A.; García Vara, Iván; Geisz, John F.; Friedman, Daniel J. y Algora del Valle, Carlos (2016). Limiting factors on the semiconductor structure of III-V multijunction solar cells for ultra-high concentration (1000-5000 suns). "Progress in Photovoltaics", v. 24 (n. 10); pp. 357-367. ISSN 1062-7995. https://doi.org/10.1002/pip.2714.

Descripción

Título: Limiting factors on the semiconductor structure of III-V multijunction solar cells for ultra-high concentration (1000-5000 suns)
Autor/es:
  • Ochoa Gómez, Mario
  • Steiner, Myles A.
  • García Vara, Iván
  • Geisz, John F.
  • Friedman, Daniel J.
  • Algora del Valle, Carlos
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Progress in Photovoltaics
Fecha: Noviembre 2016
Volumen: 24
Materias:
Palabras Clave Informales: III–V multijunction solar cells; temperature; luminescent coupling; material quality
Escuela: Instituto de Energía Solar (IES) (UPM)
Departamento: Electrónica Física
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Inverted metamorphic multi-junction solar cells have reached efficiencies close to 46%. These solar cells contain very high-quality materials that exhibit strong luminescent coupling between the junctions. The presence of luminescent coupling has a significant impact on the behavior of multi-junction solar cells affecting the optimal design of these devices. Because of the importance of studying devices under real operating conditions, the temperature dependence of the luminescent coupling is analyzed over a range of 25–120°C. Luminescent coupling analysis results show a reduction of the luminescent coupling current as a function of temperature in two tandem components of an inverted metamorphic triple junction solar cell such as GaInP/GaAs and GaAs/GaInAs solar cells. This reduction is quantified and examined by means of luminescent coupling analysis and modeling, electroluminescence measurements and optical modeling at the device and subcell level. The results of the models are verified and discussed.

Proyectos asociados

TipoCódigoAcrónimoResponsableTítulo
FP7299878METACELLSUniversidad Politecnica de MadridAdvanced epitaxy of metamorphic semiconductor structures for multijunction solar cells
Gobierno de EspañaTEC2014-54260-C3-1Sin especificarSin especificarSin especificar
Comunidad de MadridS2013/MAE-2780Sin especificarJose M. RipaldaMadrid-PV-CM. Materiales, dispositivos y tecnología para el desarrollo de la industria fotovoltaica 2014-2018

Más información

ID de Registro: 45642
Identificador DC: http://oa.upm.es/45642/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:45642
Identificador DOI: 10.1002/pip.2714
URL Oficial: http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pip.2714/abstract;jsessionid=D789C37A4FDC838407A5050CDD7C80B9.f03t02
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 27 Abr 2017 10:18
Ultima Modificación: 01 Dic 2017 23:30
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