Optically enhanced photon recycling in mechanically stacked multijunction solar cells

Steiner, Myles A.; Geisz, John F.; Ward, J. Scott; García Vara, Iván; Friedman, Daniel J.; King, Richard R.; Chiu, Philip T.; France, Ryan M.; Duda, Anna; Olavarria, Waldo J.; Young, Michelle y Kurtz, Sarah R. (2016). Optically enhanced photon recycling in mechanically stacked multijunction solar cells. "IEEE Journal of Photovoltaics", v. 6 (n. 1); pp. 358-365. ISSN 2156-3381. https://doi.org/10.1109/JPHOTOV.2015.2494690.

Descripción

Título: Optically enhanced photon recycling in mechanically stacked multijunction solar cells
Autor/es:
  • Steiner, Myles A.
  • Geisz, John F.
  • Ward, J. Scott
  • García Vara, Iván
  • Friedman, Daniel J.
  • King, Richard R.
  • Chiu, Philip T.
  • France, Ryan M.
  • Duda, Anna
  • Olavarria, Waldo J.
  • Young, Michelle
  • Kurtz, Sarah R.
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: IEEE Journal of Photovoltaics
Fecha: Enero 2016
Volumen: 6
Materias:
Palabras Clave Informales: Junctions, Gallium arsenide, Photonics, Couplings, Photovoltaic cells, Substrates, II-VI semiconductor materials
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Electrónica Física
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Multijunction solar cells can be fabricated by mechanically bonding together component cells that are grown separately. Here, we present four-junction four-terminal mechanical stacks composed of GaInP/GaAs tandems grown on GaAs substrates and GaInAsP/GaInAs tandems grown on InP substrates. The component cells were bonded together with a low-index transparent epoxy that acts as an angularly selective reflector to the GaAs bandedge luminescence, while simultaneously transmitting nearly all of the subbandgap light. As determined by electroluminescence measurements and optical modeling, the GaAs subcell demonstrates a higher internal radiative limit and, thus, higher subcell voltage, compared with GaAs subcells without the epoxy reflector. The best cells demonstrate 38.8 ± 1.0% efficiency under the global spectrum at 1000W/m2 and �42% under the direct spectrum at �100 suns. Eliminating the series resistance is the key challenge for further improving the concentrator cells. © 2011-2012 IEEE.

Proyectos asociados

TipoCódigoAcrónimoResponsableTítulo
FP7299878METACELLSUNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRIDAdvanced epitaxy of metamorphic semiconductor structures for multijunction solar cells

Más información

ID de Registro: 45763
Identificador DC: http://oa.upm.es/45763/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:45763
Identificador DOI: 10.1109/JPHOTOV.2015.2494690
URL Oficial: http://ieeexplore.ieee.org/document/7322173/
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 09 May 2017 15:40
Ultima Modificación: 09 May 2017 15:40
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