Increasing the quantum efficiency of InAs/GaAs QD arrays for solar cells grown by MOVPE without using strain-balance technology

Kalyuzhnyy, Nikolay A.; Mintairov, Sergey A.; Salii, Roman A.; Nadtochiy, Alexey M.; Payusov, Alexey S.; Brunkov, Pavel M.; Nevedomsky, Vladimir N.; Shvarts, Maxim Z.; Martí Vega, Antonio; Andreev, Viacheslav M. y Luque López, Antonio (2016). Increasing the quantum efficiency of InAs/GaAs QD arrays for solar cells grown by MOVPE without using strain-balance technology. "Progress in Photovoltaics", v. 24 (n. 9); pp. 1261-1271. ISSN 1062-7995. https://doi.org/10.1002/pip.2789.

Descripción

Título: Increasing the quantum efficiency of InAs/GaAs QD arrays for solar cells grown by MOVPE without using strain-balance technology
Autor/es:
  • Kalyuzhnyy, Nikolay A.
  • Mintairov, Sergey A.
  • Salii, Roman A.
  • Nadtochiy, Alexey M.
  • Payusov, Alexey S.
  • Brunkov, Pavel M.
  • Nevedomsky, Vladimir N.
  • Shvarts, Maxim Z.
  • Martí Vega, Antonio
  • Andreev, Viacheslav M.
  • Luque López, Antonio
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Progress in Photovoltaics
Fecha: 14 Junio 2016
Volumen: 24
Materias:
Palabras Clave Informales: MOVPE; solar cells; quantum dots; InAs/GaAs; QD array; photoluminescence; photocurrent
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Electrónica Física
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Research into the formation of InAs quantum dots (QDs) in GaAs using the metalorganic vapor phase epitaxy technique ispresented. This technique is deemed to be cheaper than the more often used and studied molecular beam epitaxy. The bestconditions for obtaining a high photoluminescence response, indicating a good material quality, have been found among awide range of possibilities. Solar cells with an excellent quantum ef?ciency have been obtained, with a sub-bandgapphoto-response of 0.07 mA/cm2per QD layer, the highest achieved so far with the InAs/GaAs system, proving the potentialof this technology to be able to increase the ef?ciency of lattice-matched multi-junction solar cells and contributing to abetter understanding of QD technology toward the achievement of practical intermediate-band solar cells.

Proyectos asociados

TipoCódigoAcrónimoResponsableTítulo
Gobierno de EspañaENE2012-37804-C02-01Sin especificarSin especificarSin especificar

Más información

ID de Registro: 45996
Identificador DC: http://oa.upm.es/45996/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:45996
Identificador DOI: 10.1002/pip.2789
URL Oficial: http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pip.2789/full
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 24 May 2017 16:16
Ultima Modificación: 17 Jun 2017 22:30
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