Photoelectrochemical properties of full composition InxGa1-xN/Si photoanodes

Aseev, Pavel; Gacevic, Zarko; Calleja Pardo, Enrique; Seger, Brian; Vesborg, Peter C. K. y Chorkendorff, Ib (2016). Photoelectrochemical properties of full composition InxGa1-xN/Si photoanodes. En: "21st International Conference on Photochemical Conversion and Storage of Solar Energy (IPS-21)", 25/07/2016 - 29/07/2016, St. Petersburg, Russia. p. 161.

Descripción

Título: Photoelectrochemical properties of full composition InxGa1-xN/Si photoanodes
Autor/es:
  • Aseev, Pavel
  • Gacevic, Zarko
  • Calleja Pardo, Enrique
  • Seger, Brian
  • Vesborg, Peter C. K.
  • Chorkendorff, Ib
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Póster)
Título del Evento: 21st International Conference on Photochemical Conversion and Storage of Solar Energy (IPS-21)
Fechas del Evento: 25/07/2016 - 29/07/2016
Lugar del Evento: St. Petersburg, Russia
Título del Libro: 21st International Conference on Photochemical Conversion and Storage of Solar Energy (IPS-21)
Fecha: 2016
Materias:
Escuela: Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología (ISOM) (UPM)
Departamento: Otro
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Recently InxGa1-xN (x=0-1) thin films and nanostructures have attracted considerable interest in the field of solar assisted water splitting. As a standalone photoelectrode it is very appealing due to its direct, tunable bandgap covering nearly the entire solar spectrum (Fig. 1a), high absorption coefficient and mobility, along with near-perfect band-edge potentials. Moreover, because of the special bands alignment it can be grown on p-Si photocathode and exhibit vertical conductivity without complex tunnel junction. These facts open a possibility to achieve high efficiency, relatively cheap InGaN/Si-based two-photon tandem devices for water splitting-

Más información

ID de Registro: 46173
Identificador DC: http://oa.upm.es/46173/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:46173
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 12 Sep 2017 16:52
Ultima Modificación: 12 Sep 2017 16:52
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