Epitaxial InN/InGaN quantum dots on Si: Cl- anion selectivity and pseudocapacitor behavior

Soto Rodríguez, Paul; Maria Mari, Claudio; Sanguinetti, Stefano; Ruffo, Riccardo y Nötzel, Richard (2016). Epitaxial InN/InGaN quantum dots on Si: Cl- anion selectivity and pseudocapacitor behavior. "Applied Physics Express", v. 9 (n. 8); pp.. ISSN 0003-6951. https://doi.org/http://doi.org/10.7567/APEX.9.081004.

Descripción

Título: Epitaxial InN/InGaN quantum dots on Si: Cl- anion selectivity and pseudocapacitor behavior
Autor/es:
  • Soto Rodríguez, Paul
  • Maria Mari, Claudio
  • Sanguinetti, Stefano
  • Ruffo, Riccardo
  • Nötzel, Richard
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Applied Physics Express
Fecha: 2016
Volumen: 9
Materias:
Escuela: Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología (ISOM) (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Epitaxial InN quantum dots (QDs) on In-rich InGaN, applied as an electrochemical electrode, activate Cl−-anion-selective surface attachment, bringing forth faradaic/pseudocapacitor-like behavior. In contrast to traditional pseudocapacitance, here, no chemical reaction of the electrode material occurs. The anion attachment is explained by the unique combination of the surface and quantum properties of the InN QDs. A high areal capacitance is obtained for this planar electrode together with rapid and reversible charge/discharge cycles. With the growth on cheap Si substrates, the InN/InGaN QD electrochemical electrode has great potential, opening up new application fields for III–nitride semiconductors.

Más información

ID de Registro: 46213
Identificador DC: http://oa.upm.es/46213/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:46213
Identificador DOI: http://doi.org/10.7567/APEX.9.081004
URL Oficial: http://iopscience.iop.org/article/10.7567/APEX.9.081004/meta;jsessionid=4860404F0A11F6625B32D1033590C456.ip-10-40-1-105
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 12 Sep 2017 15:46
Ultima Modificación: 12 Sep 2017 15:46
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