The IBC structure as support for three band-gaps tandem devices

Jimeno, Juan Carlos; Gutierrez, José Rubén; Fano, Vanessa; Habib, Ahmed; Cañizo Nadal, Carlos del; Rasool, Muhammad A. y Otaegi, Aloña (2016). The IBC structure as support for three band-gaps tandem devices. En: "32nd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (EU PVSEC 2016)", 20/06/2016 - 24/06/2016, Munich, Alemania. pp. 845-849.

Descripción

Título: The IBC structure as support for three band-gaps tandem devices
Autor/es:
  • Jimeno, Juan Carlos
  • Gutierrez, José Rubén
  • Fano, Vanessa
  • Habib, Ahmed
  • Cañizo Nadal, Carlos del
  • Rasool, Muhammad A.
  • Otaegi, Aloña
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Artículo)
Título del Evento: 32nd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (EU PVSEC 2016)
Fechas del Evento: 20/06/2016 - 24/06/2016
Lugar del Evento: Munich, Alemania
Título del Libro: Proceedings of 32nd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (EU PVSEC 2016)
Fecha: 2016
Materias:
Palabras Clave Informales: Tandem, Back Contact, Silicon Solar Cell
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Electrónica Física
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

Texto completo

[img] PDF (Document Portable Format) - Acceso permitido solamente a usuarios en el campus de la UPM - Se necesita un visor de ficheros PDF, como GSview, Xpdf o Adobe Acrobat Reader
Descargar (705kB)

Resumen

The IBC structure is one of the champions in the efficiency competition of silicon devices. Industrial cells are produced with efficiency values surpassing 24%, what is due to an excellent design in terms of separation from the region where carriers are energized and emitters where these carriers are selectively separated. Their position in the back of the cell allows the access to both quasi-Fermi-levels from this surface, and enables the access to their corresponding levels of top or bottom cells from this place, far away from the entrance of light and simplifying the design of complex multi-band-gap structures. This paper will shown several of these structures, many of them achievable with well known materials with technology developed for the microelectronic sector. These solutions would be to cells with efficiencies in the 30-32 %. Using optimum materials, not clear at this moment, we estimate a technological limit of 39.4 % for these new structures.

Proyectos asociados

TipoCódigoAcrónimoResponsableTítulo
Gobierno de EspañaTEC2011-28423-C03MINECOSin especificarSin especificar
Gobierno de EspañaENE2014-56069-C4-1RMINECOSin especificarSin especificar

Más información

ID de Registro: 46406
Identificador DC: http://oa.upm.es/46406/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:46406
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 11 Jul 2017 16:08
Ultima Modificación: 11 Jul 2017 16:08
  • Open Access
  • Open Access
  • Sherpa-Romeo
    Compruebe si la revista anglosajona en la que ha publicado un artículo permite también su publicación en abierto.
  • Dulcinea
    Compruebe si la revista española en la que ha publicado un artículo permite también su publicación en abierto.
  • Recolecta
  • e-ciencia
  • Observatorio I+D+i UPM
  • OpenCourseWare UPM