Thin GaAsSb capping layers for improved performance of InAs/GaAs quantum dot solar cells

Utrilla Lomas, Antonio David; Reyes, D.F.; Llorens, J.M.; Gonzalo Martin, Alicia; Artacho Huertas, Irene; Ben, T.; Gonzalez, D.; Gacevic, Zarko; Guzmán, A.; Hierro Cano, Adrian y Ulloa Herrero, Jose Maria (2016). Thin GaAsSb capping layers for improved performance of InAs/GaAs quantum dot solar cells. En: "32nd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (EU PVSEC 2016)", 20/06/2016 - 24/06/2016, Munich (Germany). pp. 32-35.

Descripción

Título: Thin GaAsSb capping layers for improved performance of InAs/GaAs quantum dot solar cells
Autor/es:
  • Utrilla Lomas, Antonio David
  • Reyes, D.F.
  • Llorens, J.M.
  • Gonzalo Martin, Alicia
  • Artacho Huertas, Irene
  • Ben, T.
  • Gonzalez, D.
  • Gacevic, Zarko
  • Guzmán, A.
  • Hierro Cano, Adrian
  • Ulloa Herrero, Jose Maria
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Artículo)
Título del Evento: 32nd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (EU PVSEC 2016)
Fechas del Evento: 20/06/2016 - 24/06/2016
Lugar del Evento: Munich (Germany)
Título del Libro: Proceedings of 32nd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (EU PVSEC 2016)
Fecha: 2016
Materias:
Palabras Clave Informales: Solar cell, Quantum dots, GaAsSb, Capping layers, Type-II
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

The use of thin GaAsSb capping layers (CLs) is demonstrated to provide InAs/GaAs quantum dot (QD) solar cells (SCs) with improved efficiencies up to 20%. The application of such CLs allows the tunability of the QD ground state, switching the QD-CL band alignment to type II for high Sb contents and extending the photoresponse up to 1.5 ?m. Moreover, the CL provides a significant contribution to the photocurrent. An improved carrier collection efficiency is also found to be a main reason behind the increase of the short-circuit current density, unveiling a negative impact of the wetting layer (WL) on carrier transport in standard InAs/GaAs QD SCs. Calculations from an 8×8 k·p method suggest the attribution of such an improvement to longer carrier lifetimes in the WL-CL structure due to the transition to a type-II band alignment in Sb-containing structures. A faster open-circuit voltage recovery under light concentration is demonstrated for high Sb content type-II QD-CL structures, leading, in turn, to faster efficiency improvements with light power.

Proyectos asociados

TipoCódigoAcrónimoResponsableTítulo
Comunidad de MadridS2013/MAE-2780Sin especificarSin especificarSin especificar
Gobierno de EspañaAIC-B_2011-0806Sin especificarSin especificarSin especificar

Más información

ID de Registro: 46407
Identificador DC: http://oa.upm.es/46407/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:46407
URL Oficial: http://ec.europa.eu/research/index.cfm?pg=events&eventcode=FDE26186-EB18-DF69-338E5A9BC76825D4
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 11 Jul 2017 16:22
Ultima Modificación: 11 Jul 2017 16:22
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