Degradation of subcells and tunnel junctions during growth of GaInP/Ga(In)As/GaNAsSb/Ge 4-junction solar cells

García Vara, Iván; Ochoa Gómez, Mario; Lombardero, Iván; Cifuentes, Luis; Hinojosa, Manuel; Caño, Pablo; Rey-Stolle Prado, Ignacio; Algora del Valle, Carlos; Johnson, A.D.; Davies, J.I.; Tan, K.H.; Loke, W.K.; Wicaksono, S. y Yoon, F. (2017). Degradation of subcells and tunnel junctions during growth of GaInP/Ga(In)As/GaNAsSb/Ge 4-junction solar cells. "Progress in Photovoltaics: Research and Applications", v. N/A (n. N/A); pp. 1-9. ISSN 1099-159X. https://doi.org/10.1002/pip.2930.

Descripción

Título: Degradation of subcells and tunnel junctions during growth of GaInP/Ga(In)As/GaNAsSb/Ge 4-junction solar cells
Autor/es:
  • García Vara, Iván
  • Ochoa Gómez, Mario
  • Lombardero, Iván
  • Cifuentes, Luis
  • Hinojosa, Manuel
  • Caño, Pablo
  • Rey-Stolle Prado, Ignacio
  • Algora del Valle, Carlos
  • Johnson, A.D.
  • Davies, J.I.
  • Tan, K.H.
  • Loke, W.K.
  • Wicaksono, S.
  • Yoon, F.
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Progress in Photovoltaics: Research and Applications
Fecha: Septiembre 2017
Volumen: N/A
Materias:
Palabras Clave Informales: degradation,dilute nitride, 4-junction solar cell, MOVPE, thermal load
Escuela: Instituto de Energía Solar (IES) (UPM)
Departamento: Electrónica Física
Grupo Investigación UPM: Semiconductores III-V
Licencias Creative Commons: Ninguna

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Resumen

A GaInP/Ga(In)As/GaNAsSb/Ge 4J solar cell grown using the combined MOVPE + MBE method is presented. This structure is used as a test bench to assess the effects caused by the integration of subcells and tunnel junctions into the full 4J structure. A significant degradation of the Ge bottom subcell emitter is observed during the growth of the GaNAsSb subcell, with a drop in the carrier collection efficiency at the high energy photon range that causes a ~15% lower Jsc and a Voc drop of ~50 mV at 1-sun. The Voc of the GaNAsSb subcell is shown to drop by as much as ~140 mV at 1-sun. No degradation in performance is observed in the tunnel junctions, and no further degradation is neither observed for the Ge subcell during the growth of the GaInP/Ga(In)As subcells. The hindered efficiency potential in this lattice-matched 4J architecture due to the degradation of the Ge and GaNAsSb subcells is discussed. (C) John Wiley & Sons Ltd

Proyectos asociados

TipoCódigoAcrónimoResponsableTítulo
FP7607153LONGESSTIQE plcLow Cost Germanium Substrates for Next Generation 4-Junction Space Solar Cells Utilising Dilute Nitride Technology
Gobierno de EspañaTEC2014‐54260‐C3‐1‐PSin especificarSin especificarSin especificar
Gobierno de EspañaPCIN‐ 2015‐181‐C02‐02Sin especificarSin especificarSin especificar
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Más información

ID de Registro: 47859
Identificador DC: http://oa.upm.es/47859/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:47859
Identificador DOI: 10.1002/pip.2930
URL Oficial: http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pip.2930/full
Depositado por: Dr. Iván García
Depositado el: 26 Sep 2017 08:39
Ultima Modificación: 26 Sep 2017 08:39
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