Differences between GaAs/GaInP and GaAs/AlInP interfaces grown by movpe revealed by depth profiling and angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopies

López Escalante, María Cruz; Gabás Pérez, María Mercedes; García Vara, Iván; Barrigón Montañés, Enrique; Rey-Stolle Prado, Ignacio; Algora del Valle, Carlos; Palanco López, Santiago y Ramos Barrado, José Ramón (2015). Differences between GaAs/GaInP and GaAs/AlInP interfaces grown by movpe revealed by depth profiling and angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopies. "Applied Surface Science", v. 360 (n. B); pp. 477-484. ISSN 0169-4332. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2015.10.098.

Descripción

Título: Differences between GaAs/GaInP and GaAs/AlInP interfaces grown by movpe revealed by depth profiling and angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopies
Autor/es:
  • López Escalante, María Cruz
  • Gabás Pérez, María Mercedes
  • García Vara, Iván
  • Barrigón Montañés, Enrique
  • Rey-Stolle Prado, Ignacio
  • Algora del Valle, Carlos
  • Palanco López, Santiago
  • Ramos Barrado, José Ramón
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Applied Surface Science
Fecha: Noviembre 2015
Volumen: 360
Materias:
Palabras Clave Informales: III–V semiconductors, GaInP, AlInP, ARXPS, Depth profiling, Interfaces
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Electrónica Física
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

GaAs/GaInP and GaAs/AlInP interfaces have been studied using photoelectron spectroscopy tools. The combination of depth profile through Ar+ sputtering and angle resolved X-ray photoelectron spectroscopy provides reliable information on the evolution of the interface chemistry. Measurement artifacts related to each particular technique can be ruled out on the basis of the results obtained with the other technique. GaAs/GaInP interface spreads out over a shorter length than GaAs/AlInP interface. The former could include the presence of the quaternary GaInAsP in addition to the nominal GaAs and GaInP layers. On the contrary, the GaAs/AlInP interface exhibits a higher degree of compound mixture. Namely, traces of P atoms in a chemical environment different to the usual AlInP coordination were found at the top of the GaAs/AlInP interface, as well as mixed phases like AlInP, GaInAsP or AlGaInAsP, located at the interface.

Proyectos asociados

TipoCódigoAcrónimoResponsableTítulo
Gobierno de EspañaTEC2011-28639-01Sin especificarSin especificarSin especificar
Gobierno de EspañaTEC2011-28639-02Sin especificarSin especificarSin especificar
Comunidad de MadridS2013/MAE-2780Sin especificarSin especificarSin especificar
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Más información

ID de Registro: 47897
Identificador DC: http://oa.upm.es/47897/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:47897
Identificador DOI: 10.1016/j.apsusc.2015.10.098
URL Oficial: https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0169433215025179?via%3Dihub
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 30 Ene 2018 17:21
Ultima Modificación: 30 Ene 2018 17:21
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