First principle study of V-implantation in highly-doped silicon materials

García López de la Osa, Gregorio; Casanova Páez, Marcos; Palacios Clemente, Pablo; Menéndez Proupin, Eduardo y Wahnón Benarroch, Perla (2017). First principle study of V-implantation in highly-doped silicon materials. "Computational Materials Science", v. 136 ; pp. 207-215. ISSN 0927-0256. https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2017.05.005.

Descripción

Título: First principle study of V-implantation in highly-doped silicon materials
Autor/es:
  • García López de la Osa, Gregorio
  • Casanova Páez, Marcos
  • Palacios Clemente, Pablo
  • Menéndez Proupin, Eduardo
  • Wahnón Benarroch, Perla
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Computational Materials Science
Fecha: Mayo 2017
Volumen: 136
Materias:
Palabras Clave Informales: Intermediate band. Sub-bandgap absorption. Infrared.DFT
Escuela: E.T.S. de Ingeniería Aeronáutica y del Espacio (UPM)
Departamento: Física Aplicada a las Ingenierías Aeronáutica y Naval
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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TipoCódigoAcrónimoResponsableTítulo
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Gobierno de EspañaBOOSTERENE2013-46624-C4-2-RSin especificarSin especificar

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ID de Registro: 50177
Identificador DC: http://oa.upm.es/50177/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:50177
Identificador DOI: 10.1016/j.commatsci.2017.05.005
URL Oficial: https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0927025617302355
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 03 Ago 2018 10:44
Ultima Modificación: 03 Ago 2018 10:44
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