Theoretical band alignment in an intermediate band chalcopyritebased based material

Castellanos Águila, J.E.; Palacios, P.; Conesa, J.C.; Arriaga, J. y Wahnón, P. (2017). Theoretical band alignment in an intermediate band chalcopyritebased based material. "Applied Surface Science", v. 424 ; pp. 132-136. ISSN 0169-4332. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2016.12.237.

Descripción

Título: Theoretical band alignment in an intermediate band chalcopyritebased based material
Autor/es:
  • Castellanos Águila, J.E.
  • Palacios, P.
  • Conesa, J.C.
  • Arriaga, J.
  • Wahnón, P.
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Applied Surface Science
Fecha: Diciembre 2017
Volumen: 424
Materias:
Escuela: E.T.S. de Ingeniería Aeronáutica y del Espacio (UPM)
Departamento: Física Aplicada a las Ingenierías Aeronáutica y Naval
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Band alignment is key to enhance the performance of heterojunction for chalcopyrite thin film solar cells. In this paper we report ab initio calculations of the electronic structures of CuGaS2:Cr with various Cr compositions, CuAlSe2 and ZnSe and the band alignment between their interfaces. We use density functional theory and the more accurate self-consistent GW scheme to obtain improved bulk band-gaps and band offsets. Band alignments of the interfacial region for CuGaS2:Cr/CuAlSe2 and CuGaS2:Cr/ZnSe systems were aligned with respect of an average electrostatic potential. Our results are in good agreement with experimental values for the bulk band-gaps. These theoretical band alignments show a characteristic staggered band alignment for the design of heterojunction devices in photovoltaic applications.

Más información

ID de Registro: 50180
Identificador DC: http://oa.upm.es/50180/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:50180
Identificador DOI: 10.1016/j.apsusc.2016.12.237
URL Oficial: https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0169433216329828
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 10 Ene 2019 13:12
Ultima Modificación: 10 Ene 2019 13:12
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