Comparison of Ti/Pd/Ag, Pd/Ti/Pd/Ag and Pd/Ge/Ti/Pd/Ag contacts to n-type GaAs for electronic devices handling high current densities

Huo, Pengyun; Galiana Blanco, Beatriz y Rey Llorente, Ignacio del (2017). Comparison of Ti/Pd/Ag, Pd/Ti/Pd/Ag and Pd/Ge/Ti/Pd/Ag contacts to n-type GaAs for electronic devices handling high current densities. "Semiconductor Science and Technology", v. 32 (n. 4); pp. 1-9. ISSN 0268-1242. https://doi.org/https://doi.org/10.1088/1361-6641/32/4/045006.

Descripción

Título: Comparison of Ti/Pd/Ag, Pd/Ti/Pd/Ag and Pd/Ge/Ti/Pd/Ag contacts to n-type GaAs for electronic devices handling high current densities
Autor/es:
  • Huo, Pengyun
  • Galiana Blanco, Beatriz
  • Rey Llorente, Ignacio del
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Semiconductor Science and Technology
Fecha: 2017
Volumen: 32
Materias:
Palabras Clave Informales: Ohmic contact; n-GaAs; high conductivity
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Otro
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

In the quest for metal contacts for electronic devices handling high current densities, we report the results of Pd/Ti/Pd/Ag and Pd/Ge/Ti/Pd/Ag contacts to n-GaAs and compare them to Ti/ Pd/Ag and AuGe/Ni/Au. These metal systems have been designed with the goal of producing an electrical contact with (a) low metal–semiconductor specific contact resistance, (b) very high sheet conductance, (c) good bondability, (d) long-term durability and (e) cost-effectiveness. The structure of the contacts consists of an interfacial layer (either Pd or Pd/Ge) intended to produce a low metal–semiconductor specific contact resistance; a diffusion barrier (Ti/Pd) and a thick top layer of Ag to provide the desired high sheet conductance, limited cost and good bondability. The results show that both systems can achieve very low metal resistivity (ρM ∼ 2 × 10−6 Ω cm), reaching values close to that of pure bulk silver. This fact is attributed to the Ti/Pd bilayer acting as an efficient diffusion barrier, and thus the metal sheet resistance can be controlled by the thickness of the deposited silver layer. Moreover, the use of Pd as interfacial layer produces contacts with moderate specific contact resistance (ρC ∼ 10−4 Ω cm2 ) whilst the use of Pd/Ge decreases the specific contact resistance to ρC ∼ 1.5 × 10−7 Ω cm2 , as a result of the formation of a Pd4(GaAs, Ge2) compound at the GaAs interface.

Proyectos asociados

TipoCódigoAcrónimoResponsableTítulo
Gobierno de EspañaTEC2015-66722-RTAILLÓNIgnacio Rey-Stolle PradoCélulas tándem III-V/Si: hacia una tecnología fotovoltaica de panel plano con células multiunión

Más información

ID de Registro: 50358
Identificador DC: http://oa.upm.es/50358/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:50358
Identificador DOI: https://doi.org/10.1088/1361-6641/32/4/045006
URL Oficial: http://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6641/32/4/045006/meta
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 12 Sep 2018 15:16
Ultima Modificación: 12 Sep 2018 15:16
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