Laser-Induced Crystallization of Sputtered Unhydrogenated Silicon at Low Temperatures

Saugar, E.; González, J.P.; Fernández, S.; Gandía, J. J.; Cárabe, J.; Canteli, D.; Morales Furió, Miguel; Molpeceres Álvarez, Carlos Luis; García-Perez, F. y Gómez-Mancebo, M.B. (2017). Laser-Induced Crystallization of Sputtered Unhydrogenated Silicon at Low Temperatures. En: "EU PVSEC 2017 - 33rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition", 25-29 September 2017, Amsterdam, The Netherlands. ISBN 9783936338478. pp. 815-819.

Descripción

Título: Laser-Induced Crystallization of Sputtered Unhydrogenated Silicon at Low Temperatures
Autor/es:
  • Saugar, E.
  • González, J.P.
  • Fernández, S.
  • Gandía, J. J.
  • Cárabe, J.
  • Canteli, D.
  • Morales Furió, Miguel
  • Molpeceres Álvarez, Carlos Luis
  • García-Perez, F.
  • Gómez-Mancebo, M.B.
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Artículo)
Título del Evento: EU PVSEC 2017 - 33rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition
Fechas del Evento: 25-29 September 2017
Lugar del Evento: Amsterdam, The Netherlands
Título del Libro: EU PVSEC 2017 – 33rd European PV Solar Energy Conference and Exhibition : proceedings of the international conference
Fecha: 2017
ISBN: 9783936338478
Materias:
Palabras Clave Informales: amorphous silicon, liquid-phase crystallization, multicrystalline silicon
Escuela: E.T.S.I. Industriales (UPM)
Departamento: Física Aplicada e Ingeniería de Materiales
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

10-um-thick non-hydrogenated amorphous-silicon (a-Si) films were deposited at relatively high rates (_>10 Å/s) by radio-frequency magnetron sputtering (RFMS) on different large-area buffer-layer-coated glass substrates at deposition temperatures ranging from room temperature (RT) to 300oC. These amorphous samples were subsequently crystallized by means of a continuous-wave diode laser, looking for conditions to reach liquid-phase crystallization. The influence of deposition conditions on the quality of the final micro-crystalline silicon films has been studied.

Proyectos asociados

TipoCódigoAcrónimoResponsableTítulo
Gobierno de EspañaENE2016-78933-C4Sin especificarSin especificarCELULAS SOLARES DE HETEROUNION DE SILICIO DE ESTRUCTURA NO CONVENCIONAL

Más información

ID de Registro: 50940
Identificador DC: http://oa.upm.es/50940/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:50940
URL Oficial: http://www.photovoltaic-conference.com/
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 27 Jul 2018 15:30
Ultima Modificación: 30 Jul 2018 15:17
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