Interdigitated laser-contacted solar cell on liquid-phase crystallized silicon on glass

Vetter, Michael; López Rodríguez, Gema; Ortega, Pablo; Martín, Isidro; Andrä, Gudrun; Muñoz Martín, David y Molpeceres Álvarez, Carlos Luis (2017). Interdigitated laser-contacted solar cell on liquid-phase crystallized silicon on glass. En: "33rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (EU PVSEC 2017)", 25/09/2017-29/09/2017, Ámsterdam, Países Bajos. ISBN 3-936338-47-7. pp. 827-831. https://doi.org/10.4229/EUPVSEC20172017-2CV.2.19.

Descripción

Título: Interdigitated laser-contacted solar cell on liquid-phase crystallized silicon on glass
Autor/es:
  • Vetter, Michael
  • López Rodríguez, Gema
  • Ortega, Pablo
  • Martín, Isidro
  • Andrä, Gudrun
  • Muñoz Martín, David
  • Molpeceres Álvarez, Carlos Luis
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Artículo)
Título del Evento: 33rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (EU PVSEC 2017)
Fechas del Evento: 25/09/2017-29/09/2017
Lugar del Evento: Ámsterdam, Países Bajos
Título del Libro: EU PVSEC 2017 Proceedings
Fecha: 2017
ISBN: 3-936338-47-7
Materias:
Palabras Clave Informales: Multi-crystalline silicon; Thin film; Laser crystallization; Laser doping; Carrier lifetime; Quasi steadystate photoconductance; IBC
Escuela: E.T.S.I. Diseño Industrial (UPM)
Departamento: Ingeniería Mecánica, Química y Diseño Industrial
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

10 µm thick liquid-phase crystallized silicon (Si) layers on 3.2 mm Borofloat 33 glass (5cm x 5cm) are fabricated by continuous wave line focus laser (808 nm). A sputtered SiO2/SiON layer stack has been implemented as barrier layer at the glass Si interface. Solar cells with interdigitated back contact are prepared on these multicrystalline layers by using low temperature (<400ºC) Doped-by-Laser (DopLa) fabrication concept. ALDAl2O3/ PECVD amorphous intrinsic Si carbide (SiCx(i)) stack for emitter passivation and a-SiCy(i)/P-doped a- SiCz(n)/a-SiCx(i) stack for base passivation are deposited. With short pulse (ns) UV laser (355 nm) p-type emitter (by Al-diffusion from Al2O3) and point contacts with back surface field (by P-diffusion from a-SiCz(n) layer) are fabricated on n-type mc-Si absorbers layers. Solar cell process steps are monitored by charge carrier lifetime measurements using the quasi steady-state photoconductance method. A strong dependency of charge carrier lifetime on injection level and doping density of absorbers is observed. Higher lifetimes are found for lower absorber doping concentrations. In 0.7 Ωcm LPCSG absorber highest τ eff ≈300 ns corresponding to L eff > 20 µm is found. Laserdoping and contacting using UV laser resulted in small (< 20 mV) loss of Voc(1sun). Crack formation in LPCSG absorbers after laser crystallization process presents technological problems in the preparation of the interdigitated metal contact.

Proyectos asociados

TipoCódigoAcrónimoResponsableTítulo
Horizonte 2020657115cSiOnGlassLeibniz Institute für Photonische Technologien E.V.Development of high-quality crystalline silicon layers on glass
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Gobierno de EspañaENE2013-48629-C4-3-RSin especificarUniversidad Politécnica de MadridCélulas solares de silicio de lata eficiencia y bajo coste fabricadas a baja temperatura
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Horizonte 2020FKZ 2015 FGR 0078Sin especificarThüringer AufbaubankSin especificar

Más información

ID de Registro: 50941
Identificador DC: http://oa.upm.es/50941/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:50941
Identificador DOI: 10.4229/EUPVSEC20172017-2CV.2.19
URL Oficial: http://www.eupvsec-proceedings.com/
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 23 May 2018 07:19
Ultima Modificación: 23 May 2018 07:19
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