Laser crystallization of silicon and study by finite element modelling

Canteli Pérez Caballero, David; Muñoz Martín, David; Morales Furió, Miguel y Molpeceres Álvarez, Carlos Luis (2017). Laser crystallization of silicon and study by finite element modelling. En: "IRM, Industriales Research Meeting (2ª Ed) 2017", 04/04/2017-05/04/2017, Escuela Técnica Superior de Ingenieros Industriales, Universidad Politécnica de Madrid, Madrid. ISBN 978-84-16397-58-7. p. 1.

Descripción

Título: Laser crystallization of silicon and study by finite element modelling
Autor/es:
  • Canteli Pérez Caballero, David
  • Muñoz Martín, David
  • Morales Furió, Miguel
  • Molpeceres Álvarez, Carlos Luis
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Póster)
Título del Evento: IRM, Industriales Research Meeting (2ª Ed) 2017
Fechas del Evento: 04/04/2017-05/04/2017
Lugar del Evento: Escuela Técnica Superior de Ingenieros Industriales, Universidad Politécnica de Madrid, Madrid
Título del Libro: Industriales Research Meeting 2017
Fecha: Abril 2017
ISBN: 978-84-16397-58-7
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Diseño Industrial (UPM)
Departamento: Ingeniería Mecánica, Química y Diseño Industrial
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Laser crystallization of amorphous or microcrystalline silicon films to obtain high-quality polycrystalline films is one of the most promising methods for diminishing costs in the microelectronic and solar cells sectors. During a laser crystallization process light is partially absorbed by the amorphous silicon, heating the sample and, if the temperature rises high enough, causing the reorganization of the film structure into a crystalline one. In this work we show results on the crystallization of non-hydrogenated silicon thin-films by a continuous wave infrared laser, as well as a study of the process with a simple finite elements method (FEM) numerical model based in the dimensional non-linear heat transfer equation with a steady heat source.

Proyectos asociados

TipoCódigoAcrónimoResponsableTítulo
Gobierno de EspañaENE2013-48629-C4-3-RHELLOUniversidad Politécnica de Madrid-Centro LáserCélulas solares de silicio de alta eficiencia y bajo coste fabricadas a baja temperatura

Más información

ID de Registro: 50980
Identificador DC: http://oa.upm.es/50980/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:50980
URL Oficial: http://www.etsii.upm.es/investigacion/irm17/index.es.htm
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 24 May 2018 08:44
Ultima Modificación: 24 May 2018 08:54
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