Finite element method modeling applied to laser crystallization of amorphous silicon

Canteli Pérez Caballero, David; Muñoz Martín, David; Morales Furió, Miguel y Molpeceres Álvarez, Carlos Luis (2017). Finite element method modeling applied to laser crystallization of amorphous silicon. En: "10ª Reunión Española de Optoelectrónica, OPTOEL17", 12/07/2017-14/07/2017, Santiago de Compostela, Galicia. pp. 400-402.

Descripción

Título: Finite element method modeling applied to laser crystallization of amorphous silicon
Autor/es:
  • Canteli Pérez Caballero, David
  • Muñoz Martín, David
  • Morales Furió, Miguel
  • Molpeceres Álvarez, Carlos Luis
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Artículo)
Título del Evento: 10ª Reunión Española de Optoelectrónica, OPTOEL17
Fechas del Evento: 12/07/2017-14/07/2017
Lugar del Evento: Santiago de Compostela, Galicia
Título del Libro: 10ª Reunión Española de Optoelectrónica, OPTOEL17
Fecha: Julio 2017
Materias:
Palabras Clave Informales: Laser crystallization; polycrystalline silicon; FEM modelling
Escuela: E.T.S.I. Diseño Industrial (UPM)
Departamento: Ingeniería Mecánica, Química y Diseño Industrial
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

The crystallization by laser of amorphous or microcrystalline silicon films allows to obtain thin, high-quality, polycrystalline Si films, being a very promising method for diminishing costs in the microelectronic and solar cells sectors. During a laser crystallization process, light is partially absorbed in the amorphous silicon film, heating the sample and, if the temperature rises high enough, causing the reorganization of the film structure into a crys- talline one. In this work we show both experimental results on the crystallization of non-hydrogenated silicon thin-films performed by a continuous wave infrared laser are included, as well as a study of the process with a simple finite elements (FEM) numerical model based in the dimensional non-linear heat transfer equation with a steady heat source.

Proyectos asociados

TipoCódigoAcrónimoResponsableTítulo
Gobierno de EspañaENE2013- 48629-C4-3-RHELLOUniversidad Politécnica de Madrid-Centro LáserCélulas solares de silicio de alta eficiencia y bajo coste fabricadas a baja temperatura
Gobierno de EspañaENE2016- 78933-C4-4-RCHENOCUniversidad Politécnica de Madrid-Centro LáserCélulas solares de heterounión de silicio de estructura no convencional

Más información

ID de Registro: 50986
Identificador DC: http://oa.upm.es/50986/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:50986
URL Oficial: http://www.optoel2017.es/
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 24 May 2018 08:53
Ultima Modificación: 24 May 2018 08:53
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