Hacia nuevas arquitecturas multiunión monocristalinas sobre silicio

Caño Fernández, Pablo and Cifuentes Baro, Luis and Lombardero Hernández, Iván and Morgan, A. and Nguyen, H. and Johnson, A. and Rey Llorente, Ignacio del (2018). Hacia nuevas arquitecturas multiunión monocristalinas sobre silicio. In: "XVI Congreso Ibérico y XII Congreso Iberoamericano de Energía Solar", 20/06/2018 - 22/06/2018, Madrid, España. pp. 1075-1082.

Description

Title: Hacia nuevas arquitecturas multiunión monocristalinas sobre silicio
Author/s:
  • Caño Fernández, Pablo
  • Cifuentes Baro, Luis
  • Lombardero Hernández, Iván
  • Morgan, A.
  • Nguyen, H.
  • Johnson, A.
  • Rey Llorente, Ignacio del
Item Type: Presentation at Congress or Conference (Article)
Event Title: XVI Congreso Ibérico y XII Congreso Iberoamericano de Energía Solar
Event Dates: 20/06/2018 - 22/06/2018
Event Location: Madrid, España
Title of Book: XVI Congreso Ibérico y XII Congreso Iberoamericano de Energía Solar
Date: 2018
Subjects:
Freetext Keywords: III-V sobre Silicio; Células Multiunión; Grupo IV; SiGe = III-V on Silicon; Multijunction Solar Cells; Group IV; SiGe
Faculty: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Department: Otro
Creative Commons Licenses: Recognition - No derivative works - Non commercial

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Abstract

Las células solares de silicio cristalino, que dominan el mercado fotovoltaico, están alcanzando su límite de máxima eficiencia teórica. Debido a esto, muchas líneas de investigación buscan alternativas que planteen nuevas vías de progreso. En este artículo se presenta una de estas alternativas basada en la integración de semiconductores III-V sobre sustratos de silicio de bajo coste a través de capas buffer del grupo IV, para obtener células multiunión. Estas capas buffer consisten en el crecimiento de germanio sobre el silicio, tras el que se desarrolla una capa gradual de SiGe. Posteriormente se crece una base de Si0.75Ge0.25 previa a los semiconductores III-V. A pesar de las buenas capas buffer obtenidas, el rendimiento de estas células es modesto, siendo necesaria una mejora de la calidad cristalina de los semiconductores activos. ---------- ABSTRACT---------- Silicon photovoltaic technology dominates the solar energy market but has virtually reached its maximum energy potential. As a consequence, many research lines are searching for alternatives that provide new avenues for improvement. In this paper, an alternative solar cell design based on the integration of high-efficiency III-V semiconductors on low-cost silicon substrates through group IV buffer layers is presented. These buffer layers consist in the growth of a germanium nucleation layer on silicon before a SiGe graded layer. Then, a Si0.75Ge0.25 base is grown, prior to the III-V semiconductors. Despite the accomplishment of high-quality buffer layers, the solar cell performance is quite modest. Therefore, an enhancement of crystalline quality of the active semiconductors is required. These III-V/SiGe/Si solar cells will be integrated in multijunction IIIV/Group IV/Si solar cells.

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Item ID: 55132
DC Identifier: http://oa.upm.es/55132/
OAI Identifier: oai:oa.upm.es:55132
Deposited by: Memoria Investigacion
Deposited on: 10 Jun 2019 14:48
Last Modified: 10 Jun 2019 14:48
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