Crecimiento por MBE, fabricación y caracterización de láseres de AlGaAs/GaAs/InGaAs/GaAs (111B) para emisión óptica menor a 1 nanometro

Sánchez Martínez, Jorge Julián (1999). Crecimiento por MBE, fabricación y caracterización de láseres de AlGaAs/GaAs/InGaAs/GaAs (111B) para emisión óptica menor a 1 nanometro. Tesis (Doctoral), E.T.S.I. Telecomunicación (UPM).

Descripción

Título: Crecimiento por MBE, fabricación y caracterización de láseres de AlGaAs/GaAs/InGaAs/GaAs (111B) para emisión óptica menor a 1 nanometro
Autor/es:
  • Sánchez Martínez, Jorge Julián
Director/es:
  • Izpura Torres, José Ignacio
Tipo de Documento: Tesis (Doctoral)
Fecha: Septiembre 1999
Materias:
Palabras Clave Informales: DISPOSITIVOS LASER; LASERES; DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; TECNOLOGIA ELECTRONICA; CIENCIAS TECNOLOGICAS; OPTICA; FISICA;
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

La tesis de la que se presenta este anteproyecto tiene como primer objetivo la optimización del crecimiento por Epitaxia de Haces Moleculares (MBE) de estructuras de AlGaAS/GaAS/InGaAS de baja dimensionalidad sobre substratos de GaAs (111)B con vistas a su aplicación en el desarrollo de dispositivos optoelectrónicos de configuración guía-onda conlongitudes de onda de trabajo mayores a 1 um, con especial atención a láseres de pozo cuántico. La gran mayoría de los estudios realizados en el sistema InGaAs/GaAs para su aplicación en optoelectróncia hasta hace realtivamente poco tiempo, se centraba en heteroestructuras epitaxiadas sobre substratos GaAs (001). La principal razón de este hecho se basa en la relativa facilidad para obtener epitaxias de unas cualidades morfológicas, estructurales y ópticas adecuadas a las exigencias que requiere la fabricación de dispositivos optoelectrónicos. Sin embargo, intentos de extender las longitudes de onda de dispositivos en esta orientación por encima de la micra llevan a dispositivos poco fiables para su aplicación industrial. Para solventar este problema se propone en el presente trabajo el uso de una orientación cristalográfica novedosa: (111)B. La búsqueda de condiciones de crecimiento para este tipo de substratos es el motor principal de la presente Tesis Doctoral. Asimismo, se presenta un estudio del valor de los campos piezoeléctricos intrísecos a la heteroepitaxia coherente de InGaAs/GaAs (111)B mediante el uso de una técnica denominada "Fotocorriente Diferencial". Finalmente, se muestran resultados de caracterización de dispositivos láser fabricados con las obleas crecidas bajo las condiciones de crecimiento determinadas en el presente trabajo.

Más información

ID de Registro: 728
Identificador DC: http://oa.upm.es/728/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:728
Depositado por: Archivo Digital UPM
Depositado el: 28 Nov 2007
Ultima Modificación: 20 Abr 2016 06:28
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