Temperature Dependence of the Exciton Gap in Monocrystalline CuGaS2

Levcenco, S.; Doka, S.; Tezlevan, V.; Fuertes Marrón, David; Kulyuk, L.; Schedel Niedrig, T.; Lux Steiner, M. Ch. y Arushano, E. (2010). Temperature Dependence of the Exciton Gap in Monocrystalline CuGaS2. "Physica B: Physics of Condensed Matter", v. 405 (n. 117); pp. 3547-3550. ISSN 0167-2789. https://doi.org/10.1016/j.physb.2010.05.037.

Descripción

Título: Temperature Dependence of the Exciton Gap in Monocrystalline CuGaS2
Autor/es:
  • Levcenco, S.
  • Doka, S.
  • Tezlevan, V.
  • Fuertes Marrón, David
  • Kulyuk, L.
  • Schedel Niedrig, T.
  • Lux Steiner, M. Ch.
  • Arushano, E.
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Physica B: Physics of Condensed Matter
Fecha: Septiembre 2010
Volumen: 405
Materias:
Palabras Clave Informales: Chalcopyrite; Photoluminescence Spectroscopy
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Otro
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Single crystals of CuGaS2 have been grown by chemical vapour transport. Their near-band gap photoluminescence properties were investigated in the temperature range of 10-300 K. The variation of the exciton gap energy with temperature was studied by means of a three-parameter thermodynamic model, the Einstein model and the Pässler model. Values of the band gap at T=0 K, of a dimensionless constant related to the electron-phonon coupling, and of an effective and a cut-off phonon energy have been estimated. It has also been found that the major contribution of phonons to the shift of Eg as a function of T in CuGaS2 is mainly from optical phonons.

Más información

ID de Registro: 8082
Identificador DC: http://oa.upm.es/8082/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:8082
Identificador DOI: 10.1016/j.physb.2010.05.037
URL Oficial: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0921452610005107
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 18 Ago 2011 09:55
Ultima Modificación: 20 Abr 2016 16:59
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