Si and SixGe1-x NWs studied by Raman spectroscopy

Anaya, J.; Prieto Colorado, Ángel Carmelo; Martínez de Quel Pérez, Óscar; Torres, A.; Martin Martin, A.; Jiménez López, Juan Ignacio; Rodríguez Domínguez, Andrés; Sangrador García, Jesús y Rodríguez Rodríguez, Tomás (2010). Si and SixGe1-x NWs studied by Raman spectroscopy. En: "10th International Workshop on Nonlinear Optics and Excitation Kinetics in Semiconductors, NOEKS 10", 04/07/2010 - 07/07/2010, Halle, Saale, Alemania.

Descripción

Título: Si and SixGe1-x NWs studied by Raman spectroscopy
Autor/es:
  • Anaya, J.
  • Prieto Colorado, Ángel Carmelo
  • Martínez de Quel Pérez, Óscar
  • Torres, A.
  • Martin Martin, A.
  • Jiménez López, Juan Ignacio
  • Rodríguez Domínguez, Andrés
  • Sangrador García, Jesús
  • Rodríguez Rodríguez, Tomás
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Artículo)
Título del Evento: 10th International Workshop on Nonlinear Optics and Excitation Kinetics in Semiconductors, NOEKS 10
Fechas del Evento: 04/07/2010 - 07/07/2010
Lugar del Evento: Halle, Saale, Alemania
Título del Libro: Proceedings of the 10th International Workshop on Nonlinear Optics and Excitation Kinetics in Semiconductors, NOEKS 10
Fecha: 2010
Materias:
Palabras Clave Informales: Si, nanowires, Raman spectroscopy, phonon confinement model, heat dissipation, finite element analysis
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Tecnología Electrónica [hasta 2014]
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Group IV nanostructures have attracted a great deal of attention because of their potential applications in optoelectronics and nanodevices. Raman spectroscopy has been extensively used to characterize nanostructures since it provides non destructive information about their size, by the adequate modeling of the phonon confinement effect. The Raman spectrum is also sensitive to other factors, as stress and temperature, which can mix with the size effects borrowing the interpretation of the Raman spectrum. We present herein an analysis of the Raman spectra obtained for Si and SiGe nanowires; the influence of the excitation conditions and the heat dissipation media are discussed in order to optimize the experimental conditions for reliable spectra acquisition and interpretation.

Más información

ID de Registro: 8279
Identificador DC: http://oa.upm.es/8279/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:8279
URL Oficial: http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssc.201083990/abstract
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 27 Jul 2011 11:14
Ultima Modificación: 20 Abr 2016 17:08
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