Raman spectroscopy study of group IV semiconductor nanowires

Anaya, J.; Torres, A.; Martin Martin, A.; Martínez de Quel Pérez, Óscar; Prieto Colorado, Ángel Carmelo; Jiménez López, Juan Ignacio; Rodríguez Domínguez, Andrés; Sangrador García, Jesús y Rodríguez Rodríguez, Tomás (2010). Raman spectroscopy study of group IV semiconductor nanowires. En: "VI Encuentro Franco-Español de Química y Física del Estado Sólido", 17/03/2010 - 21/03/2010, Tarragona, España.

Descripción

Título: Raman spectroscopy study of group IV semiconductor nanowires
Autor/es:
  • Anaya, J.
  • Torres, A.
  • Martin Martin, A.
  • Martínez de Quel Pérez, Óscar
  • Prieto Colorado, Ángel Carmelo
  • Jiménez López, Juan Ignacio
  • Rodríguez Domínguez, Andrés
  • Sangrador García, Jesús
  • Rodríguez Rodríguez, Tomás
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Artículo)
Título del Evento: VI Encuentro Franco-Español de Química y Física del Estado Sólido
Fechas del Evento: 17/03/2010 - 21/03/2010
Lugar del Evento: Tarragona, España
Título del Libro: Proceedings of the VI Encuentro Franco-Español de Química y Física del Estado Sólido
Fecha: 2010
Materias:
Palabras Clave Informales: Si nanowires, Raman spectroscopy, phonon confinement model, heat dissipation, finite element analysis.
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Tecnología Electrónica [hasta 2014]
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Group IV nanostructures have attracted a great deal of attention because of their potential applications in optoelectronics and nanodevices. Raman spectroscopy has been extensively used to characterize nanostructures since it provides non destructive information about their size, by the adequate modeling of the phonon confinement effect. However, the Raman spectrum is also sensitive to other factors, as stress and temperature, which can mix with the size effects borrowing the interpretation of the Raman spectrum. We present herein an analysis of the Raman spectra obtained for SiGe nanowires; the influence of the excitation conditions and the heat dissipation media are discussed in order to optimize the experimental conditions for reliable spectra acquisition and interpretation. The interpretation of the data is supported by the calculation of the temperature inside the NWs with different diameters.

Más información

ID de Registro: 8280
Identificador DC: http://oa.upm.es/8280/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:8280
URL Oficial: http://www.urv.cat/events/solido2010/home.htm
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 27 Jul 2011 10:40
Ultima Modificación: 20 Abr 2016 17:08
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