Ionization energy levels in C-doped InxGa1-xN alloys

Tablero Crespo, César (2010). Ionization energy levels in C-doped InxGa1-xN alloys. "Applied Physics Letters", v. 97 (n. 192102); pp. 1-3. ISSN 0003-6951. https://doi.org/10.1063/1.3515854.

Descripción

Título: Ionization energy levels in C-doped InxGa1-xN alloys
Autor/es:
  • Tablero Crespo, César
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Applied Physics Letters
Fecha: Noviembre 2010
Volumen: 97
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Electrónica Física
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

The InxGa1−xN alloys present levels as a result of the intentional (doped) or unintentional (contamination) introduction of C atoms into the host semiconductor. The III-V nitride semiconductors and their alloys usually crystallize in the wurtzite structure although the zinc blende structure has also been grown. We obtained the InxGa1−xN:C ionization energies from first-principles calculations of the two ordered wurtzite and zinc blende structures using different exchange and correlation terms. In accordance with the experimental results, the ionization levels could give rise, on some occasions, to a metallic impurity band.

Proyectos asociados

TipoCódigoAcrónimoResponsableTítulo
FP7211640IBPOWERSin especificarIntermediate Band Materials and Solar Cells for Photovoltaics with High Efficiency and Reduced Cost

Más información

ID de Registro: 8348
Identificador DC: http://oa.upm.es/8348/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:8348
Identificador DOI: 10.1063/1.3515854
URL Oficial: http://apl.aip.org/resource/1/applab/v97/i19/p192102_s1?isAuthorized=no
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 19 Jul 2011 12:30
Ultima Modificación: 03 Nov 2014 12:40
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