Electronic and optical properties of the group IV doped copper gallium chalcopyrites

Tablero Crespo, César (2010). Electronic and optical properties of the group IV doped copper gallium chalcopyrites. "Thin Solid Films", v. 519 (n. 4); pp. 1435-1440. ISSN 0040-6090. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2010.09.039.

Descripción

Título: Electronic and optical properties of the group IV doped copper gallium chalcopyrites
Autor/es:
  • Tablero Crespo, César
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Thin Solid Films
Fecha: Diciembre 2010
Volumen: 519
Materias:
Palabras Clave Informales: Electronic structure; Chalcopyrite; Impurities; Optical properties
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Electrónica Física
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Ternary chalcopyrite semiconductors are well known as promising materials for photovoltaic applications. The substitution of group IV atoms in sulfur and selenium copper gallium chalcopyrites GaCuX2, with X = S and Se, could have important implications either for photovoltaic or spintronic applications. To better understand these effects, we have made first-principles calculations on the doped chalcopyrites with group IV atoms, with different concentrations and geometries. Many of these materials have an intermediate band that modifies the optical properties of the host semiconductor. The sub-gap absorptions have also been determined using the absorption coefficients.

Proyectos asociados

TipoCódigoAcrónimoResponsableTítulo
FP7211640IBPOWERSin especificarIntermediate Band Materials and Solar Cells for Photovoltaics with High Efficiency and Reduced Cost

Más información

ID de Registro: 8349
Identificador DC: http://oa.upm.es/8349/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:8349
Identificador DOI: 10.1016/j.tsf.2010.09.039
URL Oficial: http://www.sciencedirect.com
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 19 Jul 2011 11:38
Ultima Modificación: 07 Nov 2014 11:05
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