Intermediate band position modulated by Zn addition in Ti doped CuGaS2

Seminóvski Pérez, Yohanna; Palacios Clemente, Pablo y Wahnón Benarroch, Perla (2011). Intermediate band position modulated by Zn addition in Ti doped CuGaS2. "Thin Solid Films", v. 519 (n. 21); pp. 7517-7521. ISSN 0040-6090. https://doi.org/10.10167j.tsf.2010.12.136.

Descripción

Título: Intermediate band position modulated by Zn addition in Ti doped CuGaS2
Autor/es:
  • Seminóvski Pérez, Yohanna
  • Palacios Clemente, Pablo
  • Wahnón Benarroch, Perla
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Thin Solid Films
Fecha: Agosto 2011
Volumen: 519
Materias:
Palabras Clave Informales: Chalcopyrite; Intermediate band materials; Electronic structure
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Tecnologías Especiales Aplicadas a la Aeronáutica [hasta 2014]
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Many works have been done recently with the aim of obtaining intermediate band semiconductors, due to the significant importance of improving solar cell efficiency. Intermediate band materials based on CuGaS2 chalcopyrite semiconductor are one of the proposed materials and specifically Ti doped CuGaS2 is a promising structure to form the intermediate band. Here we present an ab-initio study using the density functional theory in this type of intermediate band chalcogens. Several concentrations of Ti and Zn substituting Ga atoms have been studied and their electronic densities of states were obtained. Results demonstrate a chalcopyrite semiconductor band-gap shortening and intermediate band position modulation inside this band-gap by Zn addition.

Más información

ID de Registro: 8428
Identificador DC: http://oa.upm.es/8428/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:8428
Identificador DOI: 10.10167j.tsf.2010.12.136
URL Oficial: http://www.sciencedirect.com/science/journal/00406090
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 23 Ago 2011 11:54
Ultima Modificación: 20 Abr 2016 17:13
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