Structural and optical changes induced by incorporation of antimony into InAs/GaAs(001) quantum dots

González Taboada, Alfonso; Sanchez, A.M.; Beltran, A.M.; Bozkurt, M.; Alonso Alvarez, Diego; Alén Millán, Benito; Rivera de Mena, Antonio; Ripalda Cobián, Jose María; Llorens, J.M.; Martín-Sánchez, J.A.; González Diez, M. Yolanda; Ulloa Herrero, José María; García Martín, Jorge Miguel; Molina Rubio, Sergio Ignacio y Koenraad, P.M. (2010). Structural and optical changes induced by incorporation of antimony into InAs/GaAs(001) quantum dots. "Physical Review B", v. 82 (n. 23); pp. 235316-1. ISSN 1550-235X. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.82.235316.

Descripción

Título: Structural and optical changes induced by incorporation of antimony into InAs/GaAs(001) quantum dots
Autor/es:
  • González Taboada, Alfonso
  • Sanchez, A.M.
  • Beltran, A.M.
  • Bozkurt, M.
  • Alonso Alvarez, Diego
  • Alén Millán, Benito
  • Rivera de Mena, Antonio
  • Ripalda Cobián, Jose María
  • Llorens, J.M.
  • Martín-Sánchez, J.A.
  • González Diez, M. Yolanda
  • Ulloa Herrero, José María
  • García Martín, Jorge Miguel
  • Molina Rubio, Sergio Ignacio
  • Koenraad, P.M.
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Physical Review B
Fecha: Diciembre 2010
Volumen: 82
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Industriales (UPM)
Departamento: Ingeniería Nuclear [hasta 2014]
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

We present experimental evidence of Sb incorporation inside InAs/GaAs(001) quantum dots exposed to an antimony flux immediately before capping with GaAs. The Sb composition profile inside the nanostructures as measured by cross-sectional scanning tunneling and electron transmission microscopies show two differentiated regions within the quantum dots, with an Sb rich alloy at the tip of the quantum dots. Atomic force microscopy and transmission electron microscopy micrographs show increased quantum-dot height with Sb flux exposure. The evolution of the reflection high-energy electron-diffraction pattern suggests that the increased height is due to changes in the quantum-dot capping process related to the presence of segregated Sb atoms. These structural and compositional changes result in a shift of the room-temperature photoluminescence emission from 1.26 to 1.36 μm accompanied by an order of magnitude increase in the room-temperature quantum-dot luminescence intensity.

Más información

ID de Registro: 8442
Identificador DC: http://oa.upm.es/8442/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:8442
Identificador DOI: 10.1103/PhysRevB.82.235316
URL Oficial: http://prb.aps.org/abstract/PRB/v82/i23/e235316
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 23 Ago 2011 10:08
Ultima Modificación: 20 Abr 2016 17:13
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