Exportar: In situ study of Ge(100) surfaces with tertiarybutylphosphine supply in vapor phase epitaxy ambient

Barrigón Montañés, Enrique; Brückner, Sebastian; Supplie, Oliver; Döscher, Henning; Rey-Stolle Prado, Ignacio y Hannappel, Thomas (2013). In situ study of Ge(100) surfaces with tertiarybutylphosphine supply in vapor phase epitaxy ambient. "Journal of Crystal Growth", v. 370 ; pp. 173-176. ISSN 0022-0248. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2012.07.046.

Por favor, seleccione un formato de salida:

  • Open Access
  • Open Access
  • Sherpa-Romeo
    Compruebe si la revista anglosajona en la que ha publicado un artículo permite también su publicación en abierto.
  • Dulcinea
    Compruebe si la revista española en la que ha publicado un artículo permite también su publicación en abierto.
  • Recolecta
  • e-ciencia
  • Observatorio I+D+i UPM
  • OpenCourseWare UPM