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Soto Rodriguez, Paul Eduardo David (2016). Investigations on III-nitrides nanostructures: application to renewable energies and bio-sensing. Tesis (Doctoral), E.T.S.I. Telecomunicación (UPM). https://doi.org/10.20868/UPM.thesis.43028.

Aseev, Pavel (2016). InxGa1-xN layers, nanowires, and nanodots on Silicon for clean energy applications. Tesis (Doctoral), E.T.S.I. Telecomunicación (UPM). https://doi.org/10.20868/UPM.thesis.44615.

Fernández-Garrido, Sergio (2009). Crecimiento de nitruros del grupo III por epitaxia de haces moleculares para la fabricación de diodos electroluminiscentes en el rango visible-ultravioleta. Tesis (Doctoral), E.T.S.I. Telecomunicación (UPM).

Fernández Ruano, Susana María (2004). Espejos de Bragg de AlGaN/GaN crecidos por epitaxia de haces moleculares para dispositivos optoelectrónicos de cavidad resonante. Tesis (Doctoral), E.T.S.I. Telecomunicación (UPM).

Naranjo Vega, Fernando B. (2003). Crecimiento, fabricación y caracterización de diodos electroluminiscentes basados en pozos cuánticos de InGaN. Tesis (Doctoral), E.T.S.I. Telecomunicación (UPM).

Jiménez Martín, Ana (2003). Crecimiento y fabricación de transistores HEMT de AlGaN/GaN por epitaxia de haces moleculares. Tesis (Doctoral), E.T.S.I. Telecomunicación (UPM).

Sánchez García, Miguel Angel (2000). Crecimiento y caracterización de nitruros del grupo III sobre Si (111) por epitaxia de haces moleculares. Tesis (Doctoral), E.T.S.I. Telecomunicación (UPM).

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