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Thesis
Naranjo Vega, Fernando B. (2003) Crecimiento, fabricación y caracterización de diodos electroluminiscentes basados en pozos cuánticos de InGaN. Tesis(Doctoral), E.T.S.I. Telecommunication (UPM).
Fernández-Garrido, Sergio (2009) Crecimiento de nitruros del grupo III por epitaxia de haces moleculares para la fabricación de diodos electroluminiscentes en el rango visible-ultravioleta. Tesis(Doctoral), E.T.S.I. Telecommunication (UPM).
Sánchez García, Miguel Angel (2000) Crecimiento y caracterización de nitruros del grupo III sobre Si (111) por epitaxia de haces moleculares. Tesis(Doctoral), E.T.S.I. Telecommunication (UPM).
Jiménez Martín, Ana (2003) Crecimiento y fabricación de transistores HEMT de AlGaN/GaN por epitaxia de haces moleculares. Tesis(Doctoral), E.T.S.I. Telecommunication (UPM).
Fernández Ruano, Susana María (2004) Espejos de Bragg de AlGaN/GaN crecidos por epitaxia de haces moleculares para dispositivos optoelectrónicos de cavidad resonante. Tesis(Doctoral), E.T.S.I. Telecommunication (UPM).
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