Documentos en los que el autor es "Aseev, Pavel" (Tipo de Documento)

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Artículo

Soto Rodriguez, Paul Eduardo David; Calderón Nash, Verónica; Aseev, Pavel; Gómez Hernández, Victor Jesús; Kumar, Praveen; Ul Hassan Alvi, Naveed; Sánchez, Alfredo; Villalonga, Reynaldo; Pingarrón, José M. y Nöetzel, Richard (2015). Electrocatalytic oxidation enhancement at the surface of InGaN films and nanostructures grown directly on Si(111). "Electrochemistry Communications", v. 60 ; pp. 158-162. ISSN 1388-2481. https://doi.org/10.1016/j.elecom.2015.09.003.

Soto Rodríguez, Paul; Aseev, Pavel; Gómez Hernández, Víctor Jesús; Ul Hassan Alvi, Naveed; Calleja Pardo, Enrique; Manuel, José M.; Morales Sánchez, Francisco Miguel; Kumar, Praveen; Jiménez, Juan J.; García, Rafael; Senichev, Alexander; Lienau, Christoph y Nötzel, Richard (2015). Stranski-Krastanov InN/InGaN quantum dots grown directly on Si(111). "Applied Physics Letters", v. 106 (n. 2); pp.. ISSN 0003-6951. https://doi.org/10.1063/1.4905662.

Ponencia en Congreso o Jornada

Gómez Hernández, Víctor Jesús; Gacevic, Zarko; Aseev, Pavel; Soto Rodríguez, Paul; Kumar, Praveen; Calleja Pardo, Enrique; Nötzel, Richard y Sánchez García, Miguel Ángel (2014). XRD analysis of InGaN uniform layers grown on Si (111) without any buffer layers and on Sapphire. En: "International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014)", 24/08/2014 - 29/08/2014, Wroclaw, Poland. p. 1.

Tesis

Aseev, Pavel (2016). InxGa1-xN layers, nanowires, and nanodots on Silicon for clean energy applications. Tesis (Doctoral), E.T.S.I. Telecomunicación (UPM). https://doi.org/10.20868/UPM.thesis.44615.

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