Documentos en los que el autor es "Azize, M." (Tipo de Documento)
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Cuerdo Bragado, Roberto; Calle Gómez, Fernando; Braña, A.F.; Cordier, Y.; Azize, M.; Baron, N.; Chenot, S. y Muñoz Merino, Elias (2008). High temperature behavior of GaN HEMT devices on Si(111) and sapphire substrates.. "Physica Status Solidi C Basic Solid State Physics", v. 5 (n. 6); pp. 1971-1973. ISSN 0370-1972. https://doi.org/10.1002/pssc.200778555.
