Metrología óptica dimensional submicrométrica para determinación de espesores en sub-micro estructuras

Abstract

En este trabajo se presenta el análisis de una técnica de metrología óptica utilizada para el control de procesos en línea en la fabricación de microchips. Se obtienen los perfiles de reflectividad en función del ángulo de incidencia para una longitud de onda de 675 nm, para los estados de polarización s y p. Se obtiene un modelo teórico para una estructura multicapa, con la que se pueden calcular de forma sencilla las propiedades ópticas y dimensiones de las capas. Se obtiene la incertidumbre de la técnica de medida.-In this work is presented the analysis of a technique of optical metrology widely used in controlling on- line process in fabrication of microchips. Reflectivity profiles as a function of angle of incidence are obtained for a wavelength of 675 nm. A theoretical model for a Si/ SiO2 multilayer stack is also obtained, which can be used to calculate both the thickness and the optical properties of the layers. A calculation of the uncertainty for the measurement technique is also performed.