Uso fotónico de materiales de banda intermedia basados en un semiconductor tipo calcogenuro

Abstract

Uso fotónico de materiales de banda intermedia basados en un semiconductor tipo calcogenuro. La invención se refiere al uso, en la fabricación de mate­ riales o dispositivos para aplicaciones fotónicas, de compuestos tipo calcogenuro con el elemento indio octaédricamente coordinado y en los que se introduce un elemen­to de transición en posición octaédrica generando una banda intermedia parcialmente ocupada separada de las de valencia y conducción del semiconductor de partida, según resulta de cálculos mecanocuánticos. Ello posibilita obtener, por absorción de dos fotones de energía inferior al ancho de la banda prohibida del semiconductor de partida, un resultado equivalente al conseguido, sin di­cha banda intermedia, absorbiendo un fotón de energía superior. Usar tal material puede pues facilitar un mayor rendimiento y mejores prestaciones en diversos dispositivos de tipo fotovoltaico, fotocatalítico fotoelectroquímico, optoelectrónico o de conversión fotónica. Un material específico con estas características, y que aquí se sintetiza, es el sulfuro de indio con parte de este último elemento sustituido por vanadio o titanio.