@unpublished{upm127,
           title = {Contribuci{\'o}n al desarrollo de barreras Schottky de siliciuro y su aplicaci{\'o}n a la detecci{\'o}n de radiaci{\'o}n infrarroja},
           month = {January},
          school = {Telecomunicacion},
             doi = {10.20868/UPM.thesis.127},
            note = {Unpublished},
            year = {2000},
          author = {Jim{\'e}nez Leube, Francisco Javier},
        keywords = {f{\'i}sica; electr{\'o}nica; transporte de electrones; dispositivos semiconductores; dispositivos de estado s{\'o}lido; ciencias tecnol{\'o}gicas; tecnolog{\'i}a electr{\'o}nica; f{\'i}sica del estado s{\'o}lido; (TER-UPM)},
             url = {https://oa.upm.es/127/},
        abstract = {El objetivo de esta Tesis es el desarrollo de una tecnolog{\'i}a base para la fabricaci{\'o}n de detectores de siliciuro de Iridio reproducibles y homog{\'e}neos en sus caracter{\'i}sticas. En funci{\'o}n de la bibliograf{\'i}a y de nuestra experiencia previa se determina como punto cr{\'i}tico la s{\'i}ntesis de la pel{\'i}cula de siliciuro de Iridio, Se desarrollan las rutas de procesos tecnol{\'o}gicos que permiten fabricar diodos y detectores de barrera Schottky de siliciuro de Iridio con diferentes estructuras con y sin anillo de guarda, para iluminaci{\'o}n frontal o posterior y con cavidad diel{\'e}ctrica resonante para optimizar la respuesta {\'o}ptica de los detectores, Se ha estudiado el efecto de los tratamientos t{\'e}rmicos (la temperatura, duraci{\'o}n y composici{\'o}n de la atm{\'o}sfera en la que se realizan) en horno de flujo constante, en el interior del sistema de evaporaci{\'o}n in-situ y mediante tratamiento t{\'e}rmico r{\'a}pido (RTP). Dado que los m{\'e}todos tradicionales de caracterizaci{\'o}n (RBS, SIMS, Auger, TEM) no permiten analizar la intercara silicio-siliciuro con la suficiente resoluci{\'o}n lateral y/o en profundidad ha sido necesario adaptar un m{\'e}todo experimental indirecto: el an{\'a}lisis de las caracter{\'i}sticas tensi{\'o}n-corriente en funci{\'o}n de la temperatura de medida (espectroscop{\'i}a I-V-T) en el rango de temperaturas donde la emisi{\'o}n termoi{\'o}nica es dominante. El estudio de las caracter{\'i}sticas de los diodos fabricados sobre sustratos tipo-n y su correlaci{\'o}n con los resultados obtenidos de la caracterizaci{\'o}n metal{\'u}rgica permite determinar si la intercara silicio-siliciuro resultante es homog{\'e}nea. Las conclusiones de este estudio permiten definir como m{\'e}todos {\'o}ptimos para la fabricaci{\'o}n de los detectores los tratamientos mediante RTP en atm{\'o}sfera de Ar y los tratamientos en el interior del sistema de evaporaci{\'o}n a temperaturas inferiores a 400 grados Como verificaci{\'o}n de la idoneidad del m{\'e}todo experimental y de las conclusiones extra{\'i}das del estudio anterior se ha fabricado y caracterizado una peque{\~n}a serie de detectores de infrarrojo La respuesta {\'o}ptica de los detectores demuestra que ser{\'i}an aplicables para la detecci{\'o}n de radiaci{\'o}n infrarroja en la tercera ventana de propagaci{\'o}n atmosf{\'e}rica.}
}