@unpublished{upm1837,
          school = {Telecomunicacion},
           title = {Fabricaci{\'o}n, caracterizaci{\'o}n y modelado de transistores de heterouni{\'o}n de efecto campo basados en AlGaN/GaN},
           month = {April},
            year = {2000},
          author = {Jos{\'e} Antonio Garrido Ariza},
             url = {https://oa.upm.es/1837/},
        abstract = {Un material semiconductor id{\'o}neo para aplicaciones de alta potencia debe poseer excelentes propiedades t{\'e}rmicas y de transporte electr{\'o}nico, un voltaje de ruptura elevado, gran estabilidad t{\'e}rmica y qu{\'i}mica, y adem{\'a}s debe permitir la fabricaci{\'o}n de dispositivos unipolares y bipolares con bajos elementos par{\'a}sitos. Actualmente, la mayor{\'i}a de los dispositivos de potencia comercializados est{\'a}n basados en Si y en GaAs. Sin embargo, estos materiales son semiconductores de banda prohibida (g{\pounds}?p) estrecha y no cumplen todas las caracter{\'i}sticas que antes se han citado como {\'o}ptimas para las aplicaciones de potencia. El r{\'a}pido desarrollo que durante la {\'u}ltima d{\'e}cada han experimentado los semiconductores de gap ancho (SiC, Diamante, GaN) los hace muy atractivos como potenciales candidatos para las aplicaciones de alta potencia y alta temperatura. El SiC es uno de los semiconductores de gap ancho que fue inicialmente estudiado, sobre todo para aplicaciones de alto voltaje [Weitz95]. M{\'a}s recientemente, se han desarrollado dispositivos de heterouni{\'o}n basados en GaN que han conseguido trabajar a altas corrientes y con tensiones de ruptura muy elevadas [Mishr98][Chen97]. La conductividad t{\'e}rmica, estabilidad t{\'e}rmica y qu{\'i}mica, campo de ruptura y anchura del gap del GaN son similares a los del SiC. Sin embargo, una de las ventajas del GaN frente al SiC es una velocidad de pico y una movilidad de los electrones mayores [Khan97]. Adem{\'a}s, el hecho de que el GaN permita perfectamente una tecnolog{\'i}a de heterouni{\'o}n (con sus ternarios AlGaN y InGaN), hacen de este material semiconductor la opci{\'o}n m{\'a}s atractiva para el desarrollo de dispositivos transistores de efecto campo (FET) que funcionen a altas potencias y altas temperaturas. }
}