Optimizing Bottom Subcells for III-V-on-Si MultiJunction Solar Cells

Garcia Tabares Valdivieso, Elisa; García Vara, Iván; Martín Martín, Diego y Rey-Stolle Prado, Ignacio (2011). Optimizing Bottom Subcells for III-V-on-Si MultiJunction Solar Cells. En: "37th IEEE PV Specialist Conference", 19/06/2011 - 24/06/2011, Seattle, EEUU. ISBN 978-1-4244-9966-3. pp. 784-789.

Descripción

Título: Optimizing Bottom Subcells for III-V-on-Si MultiJunction Solar Cells
Autor/es:
  • Garcia Tabares Valdivieso, Elisa
  • García Vara, Iván
  • Martín Martín, Diego
  • Rey-Stolle Prado, Ignacio
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Artículo)
Título del Evento: 37th IEEE PV Specialist Conference
Fechas del Evento: 19/06/2011 - 24/06/2011
Lugar del Evento: Seattle, EEUU
Título del Libro: Proceedings of 37th IEEE PV Specialist Conference
Fecha: 2011
ISBN: 978-1-4244-9966-3
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Electrónica Física
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Dual-junction solar cells formed by a GaAsP or GaInP top cell and a silicon bottom cell seem to be attractive candidates to materialize the long sought-for integration of III-V materials on silicon for photovoltaic applications. Such integration would offer a cost breakthrough for photovoltaic technology, unifying the low cost of silicon and the efficiency potential of III-V multijunction solar cells. In this study, we analyze several factors influencing the performance of the bottom subcell of this dual-junction, namely, 1) the formation of the emitter as a result of the phosphorus diffusion that takes place during the prenucleation temperature ramp and during the growth of the III-V layers; 2) the degradation in surface morphology during diffusion; and 3) the quality needed for the passivation provided by the GaP layer on the emitter.

Más información

ID de Registro: 11718
Identificador DC: http://oa.upm.es/11718/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:11718
URL Oficial: http://ieeexplore.ieee.org/xpls/abs_all.jsp?arnumber=6186071&tag=1
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 09 Oct 2012 09:27
Ultima Modificación: 20 Abr 2016 19:43
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