Emission control of InGaN nanocolumns grown by molecular-beam epitaxy on Si(111) substrates

Albert, Steven, Bengoechea Encabo, Ana, Lefebvre, P., Sánchez García, Miguel Angel ORCID: https://orcid.org/0000-0002-1494-9351, Calleja Pardo, Enrique ORCID: https://orcid.org/0000-0002-3686-8982, Sánchez García, Miguel Angel ORCID: https://orcid.org/0000-0002-1494-9351, Jahn, U. and Trampert, Achim (2011). Emission control of InGaN nanocolumns grown by molecular-beam epitaxy on Si(111) substrates. "Applied Physics Letters", v. 99 (n. 13); pp.. ISSN 0003-6951. https://doi.org/10.1063/1.3644986.

Descripción

Título: Emission control of InGaN nanocolumns grown by molecular-beam epitaxy on Si(111) substrates
Autor/es:
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Applied Physics Letters
Fecha: Septiembre 2011
ISSN: 0003-6951
Volumen: 99
Número: 13
Materias:
ODS:
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Electrónica Física
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

Texto completo

[thumbnail of INVE_MEM_2011_95194.pdf]
Vista Previa
PDF (Portable Document Format) - Se necesita un visor de ficheros PDF, como GSview, Xpdf o Adobe Acrobat Reader
Descargar (1MB) | Vista Previa

Resumen

This work studies the effect of the growth temperature on the morphology and emission characteristics of self-assembled InGaN nanocolumns grown by plasma assisted molecular beam epitaxy. Morphology changes are assessed by scanning electron microscopy, while emission is measured by photoluminescence. Within the growth temperature range of 750 to 650 °C, an increase in In incorporation for decreasing temperature is observed. This effect allows tailoring the InGaN nanocolumns emission line shape by using temperature gradients during growth. Depending on the gradient rate, span, and sign, broad emission line shapes are obtained, covering the yellow to green range, even yielding white emission

Proyectos asociados

Tipo
Código
Acrónimo
Responsable
Título
FP7
228999
SMASH
Sin especificar
Sin especificar
Comunidad de Madrid
S2009/ESP-1503
Sin especificar
Sin especificar
Sin especificar
Gobierno de España
MAT2008-04815
Sin especificar
Sin especificar
Sin especificar

Más información

ID de Registro: 11858
Identificador DC: https://oa.upm.es/11858/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:11858
URL Portal Científico: https://portalcientifico.upm.es/es/ipublic/item/5486339
Identificador DOI: 10.1063/1.3644986
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 27 Sep 2012 10:29
Ultima Modificación: 12 Nov 2025 00:00