Room temperature photoluminescence of InGaAs Surface Quantum Dots

Ulloa Herrero, José María; Yamamoto, K.; Fernández González, Alvaro de Guzmán y Hierro Cano, Adrián (2011). Room temperature photoluminescence of InGaAs Surface Quantum Dots. En: "Proceedings Quantum Dot France", 16/06/2011 - 17/06/2011, Toulosse (France) 2011. pp..

Descripción

Título: Room temperature photoluminescence of InGaAs Surface Quantum Dots
Autor/es:
  • Ulloa Herrero, José María
  • Yamamoto, K.
  • Fernández González, Alvaro de Guzmán
  • Hierro Cano, Adrián
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Otro)
Título del Evento: Proceedings Quantum Dot France
Fechas del Evento: 16/06/2011 - 17/06/2011
Lugar del Evento: Toulosse (France) 2011
Título del Libro: Quantum Dot France
Fecha: 2011
Materias:
Escuela: Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología (ISOM) (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Self-assembled InGaAs quantum dots show unique physical properties such as three dimensional confinement, high size homogeneity, high density and low number of dislocations. They have been extensively used in the active regions of laser devices for optical communications applications [1]. Therefore, buried quantum dots (BQDs) embedded in wider band gap materials have been normally studied. The wave confinement in all directions and the stress field around the dot affect both optical and electrical properties [2, 3]. However, surface quantum dots (SQDs) are less affected by stress, although their optical and electrical characteristics have a strong dependence on surface fluctuation. Thus, they can play an important role in sensor applications

Más información

ID de Registro: 12916
Identificador DC: http://oa.upm.es/12916/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:12916
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 29 Ene 2013 08:35
Ultima Modificación: 21 Abr 2016 12:14
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