Structural properties of InAlN single layers nearly latice-matched to GaN grown by plasma assisted molecular beal epitaxy

Gacevic, Zarko; Fernández-Garrido, Sergio; Calleja Pardo, Enrique; Hosseini, D.; Estradé, S. y Peiró, F. (2011). Structural properties of InAlN single layers nearly latice-matched to GaN grown by plasma assisted molecular beal epitaxy. En: "16th European Molecular Beam Epitaxy Workshop, Euro MEB 2011", 20/03/2011 - 23/03/2011, AlpesFranceses, Francia.

Descripción

Título: Structural properties of InAlN single layers nearly latice-matched to GaN grown by plasma assisted molecular beal epitaxy
Autor/es:
  • Gacevic, Zarko
  • Fernández-Garrido, Sergio
  • Calleja Pardo, Enrique
  • Hosseini, D.
  • Estradé, S.
  • Peiró, F.
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Póster)
Título del Evento: 16th European Molecular Beam Epitaxy Workshop, Euro MEB 2011
Fechas del Evento: 20/03/2011 - 23/03/2011
Lugar del Evento: AlpesFranceses, Francia
Título del Libro: Proceedings of 16th European Molecular Beam Epitaxy Workshop, Euro MEB 2011
Fecha: 2011
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

The high lattice mismatch between III-nitride binaries (InN, GaN and AlN) remains a key problem to grow high quality III-nitride heterostructures. Recent interest has been focused on the growth of high-quality InAlN layers, with approximately 18% of indium incorporation, in-plane lattice-matched (LM) to GaN. While a lot of work has been done by metal-organic vapour phase epitaxy (MOVPE) by Carlin and co-workers, its growth by molecular beam epitaxy (MBE) is still in infancy

Más información

ID de Registro: 13380
Identificador DC: http://oa.upm.es/13380/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:13380
URL Oficial: http://embe2011.neel.cnrs.fr/spip.php?article39
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 24 Oct 2012 09:28
Ultima Modificación: 21 Abr 2016 12:42
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