High precision pressure sensors based on SAW devices in the GHz range

Rodriguez Madrid, Juan; Fuentes Iriarte, Gonzalo; Williams, Oliver A. y Calle Gómez, Fernando (2013). High precision pressure sensors based on SAW devices in the GHz range. "Sensors and Actuators A: Physical", v. 189 ; pp. 364-369. ISSN 0924-4247. https://doi.org/10.1016/j.sna.2012.09.012.

Descripción

Título: High precision pressure sensors based on SAW devices in the GHz range
Autor/es:
  • Rodriguez Madrid, Juan
  • Fuentes Iriarte, Gonzalo
  • Williams, Oliver A.
  • Calle Gómez, Fernando
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Sensors and Actuators A: Physical
Fecha: Enero 2013
Volumen: 189
Materias:
Palabras Clave Informales: AlN/free-standing diamond; Nucleation side; High frequency; SAW resonators; Pressure sensor
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

In this paper, an AlN/free-standing nanocrystalline diamond (NCD) system is proposed in order to process high frequency surface acoustic wave (SAW) resonators for sensing applications. The main problem of synthetic diamond is its high surface roughness that worsens the sputtered AlN quality and hence the device response. In order to study the feasibility of this structure, AlN films from 150 nm up to 1200 nm thick have been deposited on free-standing NCD. We have then analysed the influence of the AlN layer thickness on its crystal quality and device response. Optimized thin films of 300 nm have been used to fabricate of one-port SAW resonators operating in the 10–14 GHz frequency range. A SAW based sensor pressure with a sensibility of 0.33 MHz/bar has been fabricated.

Más información

ID de Registro: 15777
Identificador DC: http://oa.upm.es/15777/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:15777
Identificador DOI: 10.1016/j.sna.2012.09.012
URL Oficial: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0924424712005596
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 29 Jun 2013 08:12
Ultima Modificación: 01 Feb 2015 23:56
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