Cubic and hexagonal InGaAsN dilute arsenides by unintentional homogeneous incorporation of As into InGaN

Morales Sánchez, Francisco Miguel; Carvalho, Daniel; Ben, T.; García Roja, Rafael; Molina Rubio, Sergio Ignacio; Martí Vega, Antonio; Luque López, Antonio; Staddon, Chis. R.; Campion, Richard P. y Foxon, C.T. (2012). Cubic and hexagonal InGaAsN dilute arsenides by unintentional homogeneous incorporation of As into InGaN. "Scripta Materialia", v. 66 (n. 6); pp. 351-354. ISSN 1359-6462. https://doi.org/10.1016/j.scriptamat.2011.11.025.

Descripción

Título: Cubic and hexagonal InGaAsN dilute arsenides by unintentional homogeneous incorporation of As into InGaN
Autor/es:
  • Morales Sánchez, Francisco Miguel
  • Carvalho, Daniel
  • Ben, T.
  • García Roja, Rafael
  • Molina Rubio, Sergio Ignacio
  • Martí Vega, Antonio
  • Luque López, Antonio
  • Staddon, Chis. R.
  • Campion, Richard P.
  • Foxon, C.T.
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Scripta Materialia
Fecha: Marzo 2012
Volumen: 66
Materias:
Palabras Clave Informales: Compound semiconductors (InGaAsN), Dilute arsenide, Transmission electron microscopy (TEM), X-ray diffraction (XRD)
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Electrónica Física
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Arsenic alloying is observed for epitaxial layers nominally intended to be In0.75Ga0.25N. Voids form beneath their interfaces with GaAs substrates, acting as sources of Ga + As out-diffusion into the growing epilayers. As a result, heteroepitaxial single-phase quaternary InxGa1-xAsyN1-y, films are formed with x similar to 0.55 and 0.05 menor que y menor que 0,10. While an undoped epilayer retains the wurtzite structure, a Mn-doped sample showed randomly spaced dopant segregations, which, together with a slightly higher As concentration, led to a transformation from the hexagonal to the twinned cubic phase.

Proyectos asociados

TipoCódigoAcrónimoResponsableTítulo
FP7211640IBPOWERSin especificarIntermediate Band Materials and Solar Cells for Photovoltaics with High Efficiency and Reduced Cost

Más información

ID de Registro: 16097
Identificador DC: http://oa.upm.es/16097/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:16097
Identificador DOI: 10.1016/j.scriptamat.2011.11.025
URL Oficial: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1359646211007184
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 06 Jul 2013 08:25
Ultima Modificación: 31 Oct 2014 11:14
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