Ordered gan/ingan nanorods arrays grown by molecular beam epitaxy for phosphor-free white light emission

Albert, Steven; Bengoechea Encabo, Ana; Sánchez García, Miguel Angel; Barbagini, Francesca; Calleja Pardo, Enrique; Luna García de la Infanta, Esperanza; Trampert, Achim; Jahn, U.; Lefebvre, P.; López, L.L.; Estradé, S.; Rebled, J.M.; Peiró, F.; Nataf, G.; Mierry, P. de y Zuniga Perez, J. (2012). Ordered gan/ingan nanorods arrays grown by molecular beam epitaxy for phosphor-free white light emission. "International Journal of High Speed Electronics", v. 21 (n. 1); pp. 1250010-1250034. ISSN 0129-1564. https://doi.org/10.1142/S0129156412500103.

Descripción

Título: Ordered gan/ingan nanorods arrays grown by molecular beam epitaxy for phosphor-free white light emission
Autor/es:
  • Albert, Steven
  • Bengoechea Encabo, Ana
  • Sánchez García, Miguel Angel
  • Barbagini, Francesca
  • Calleja Pardo, Enrique
  • Luna García de la Infanta, Esperanza
  • Trampert, Achim
  • Jahn, U.
  • Lefebvre, P.
  • López, L.L.
  • Estradé, S.
  • Rebled, J.M.
  • Peiró, F.
  • Nataf, G.
  • Mierry, P. de
  • Zuniga Perez, J.
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: International Journal of High Speed Electronics
Fecha: 2012
Volumen: 21
Materias:
Palabras Clave Informales: Nanorods, GaN, InGaN, SAG, white light
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

Texto completo

[img]
Vista Previa
PDF (Document Portable Format) - Se necesita un visor de ficheros PDF, como GSview, Xpdf o Adobe Acrobat Reader
Descargar (4MB) | Vista Previa

Resumen

The basics of the self-assembled growth of GaN nanorods on Si(111) are reviewed. Morphology differences and optical properties are compared to those of GaN layers grown directly on Si(111). The effects of the growth temperature on the In incorporation in self-assembled InGaN nanorods grown on Si(111) is described. In addition, the inclusion of InGaN quantum disk structures into selfassembled GaN nanorods show clear confinement effects as a function of the quantum disk thickness. In order to overcome the properties dispersion and the intrinsic inhomogeneous nature of the self-assembled growth, the selective area growth of GaN nanorods on both, c-plane and a-plane GaN on sapphire templates, is addressed, with special emphasis on optical quality and morphology differences. The analysis of the optical emission from a single InGaN quantum disk is shown for both polar and non-polar nanorod orientations

Más información

ID de Registro: 16336
Identificador DC: http://oa.upm.es/16336/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:16336
Identificador DOI: 10.1142/S0129156412500103
URL Oficial: http://www.worldscientific.com/doi/pdf/10.1142/S0129156412500103
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 13 Jul 2013 11:54
Ultima Modificación: 21 Abr 2016 16:38
  • Open Access
  • Open Access
  • Sherpa-Romeo
    Compruebe si la revista anglosajona en la que ha publicado un artículo permite también su publicación en abierto.
  • Dulcinea
    Compruebe si la revista española en la que ha publicado un artículo permite también su publicación en abierto.
  • Recolecta
  • e-ciencia
  • Observatorio I+D+i UPM
  • OpenCourseWare UPM