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High efficient luminescence in type-II GaAsSb-capped InAs quantum dots upon annealing
Cita
Ulloa Herrero, José María 
ORCID: https://orcid.org/0000-0002-5679-372X, Llorens, J.M., Alén Millán, Benito, Reyes, D.F., Sales, D.L., Gonzalez, D. and Hierro Cano, Adrián ORCID: https://orcid.org/0000-0002-0414-4920
(2012).
High efficient luminescence in type-II GaAsSb-capped InAs quantum dots upon annealing.
"Applied Physics Letters", v. 101
(n. 25);
pp..
ISSN 0003-6951.
https://doi.org/10.1063/1.4773008.
ORCID: https://orcid.org/0000-0002-5679-372X, Llorens, J.M., Alén Millán, Benito, Reyes, D.F., Sales, D.L., Gonzalez, D. and Hierro Cano, Adrián ORCID: https://orcid.org/0000-0002-0414-4920
(2012).
High efficient luminescence in type-II GaAsSb-capped InAs quantum dots upon annealing.
"Applied Physics Letters", v. 101
(n. 25);
pp..
ISSN 0003-6951.
https://doi.org/10.1063/1.4773008.
Descripción
| Título: | High efficient luminescence in type-II GaAsSb-capped InAs quantum dots upon annealing |
|---|---|
| Autor/es: |
|
| Tipo de Documento: | Artículo |
| Título de Revista/Publicación: | Applied Physics Letters |
| Fecha: | Diciembre 2012 |
| ISSN: | 0003-6951 |
| Volumen: | 101 |
| Número: | 25 |
| Materias: | |
| ODS: | |
| Palabras Clave Informales: | gallium arsenide, III-V semiconductors, indium compounds, photoluminescence, radiative lifetimes, rapid thermal annealing, semiconductor quantum dots |
| Escuela: | Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología (ISOM) (UPM) |
| Departamento: | Otro |
| Licencias Creative Commons: | Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial |
Resumen
The photoluminescence efficiency of GaAsSb-capped InAs/GaAs type II quantum dots (QDs) can be greatly enhanced by rapid thermal annealing while preserving long radiative lifetimes which are ∼20 times larger than in standard GaAs-capped InAs/GaAs QDs. Despite the reduced electron-hole wavefunction overlap, the type-II samples are more efficient than the type-I counterparts in terms of luminescence, showing a great potential for device applications. Strain-driven In-Ga intermixing during annealing is found to modify the QD shape and composition, while As-Sb exchange is inhibited, allowing to keep the type-II structure. Sb is only redistributed within the capping layer giving rise to a more homogeneous composition.
Proyectos asociados
Tipo
Código
Acrónimo
Responsable
Título
Gobierno de España
MAT2010-15206
Sin especificar
Sin especificar
Sin especificar
Gobierno de España
TEC2011-29120-C05-04
Sin especificar
Sin especificar
Sin especificar
Comunidad de Madrid
S2009/ESP-1503
Sin especificar
Sin especificar
Sin especificar
Más información
| ID de Registro: | 16349 |
|---|---|
| Identificador DC: | https://oa.upm.es/16349/ |
| Identificador OAI: | oai:oa.upm.es:16349 |
| URL Portal Científico: | https://portalcientifico.upm.es/es/ipublic/item/5487890 |
| Identificador DOI: | 10.1063/1.4773008 |
| URL Oficial: | http://apl.aip.org/resource/1/applab/v101/i25/p253... |
| Depositado por: | Memoria Investigacion |
| Depositado el: | 27 Jul 2013 10:40 |
| Ultima Modificación: | 12 Nov 2025 00:00 |
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