High efficient luminescence in type-II GaAsSb-capped InAs quantum dots upon annealing

Ulloa Herrero, José María; Llorens, J.M.; Alén Millán, Benito; Reyes, D.F.; Sales, D.L.; Gonzalez, D. y Hierro Cano, Adrián (2012). High efficient luminescence in type-II GaAsSb-capped InAs quantum dots upon annealing. "Applied Physics Letters", v. 101 (n. 25); pp.. ISSN 0003-6951. https://doi.org/10.1063/1.4773008.

Descripción

Título: High efficient luminescence in type-II GaAsSb-capped InAs quantum dots upon annealing
Autor/es:
  • Ulloa Herrero, José María
  • Llorens, J.M.
  • Alén Millán, Benito
  • Reyes, D.F.
  • Sales, D.L.
  • Gonzalez, D.
  • Hierro Cano, Adrián
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Applied Physics Letters
Fecha: Diciembre 2012
Volumen: 101
Materias:
Palabras Clave Informales: gallium arsenide, III-V semiconductors, indium compounds, photoluminescence, radiative lifetimes, rapid thermal annealing, semiconductor quantum dots
Escuela: Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología (ISOM) (UPM)
Departamento: Otro
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

The photoluminescence efficiency of GaAsSb-capped InAs/GaAs type II quantum dots (QDs) can be greatly enhanced by rapid thermal annealing while preserving long radiative lifetimes which are ∼20 times larger than in standard GaAs-capped InAs/GaAs QDs. Despite the reduced electron-hole wavefunction overlap, the type-II samples are more efficient than the type-I counterparts in terms of luminescence, showing a great potential for device applications. Strain-driven In-Ga intermixing during annealing is found to modify the QD shape and composition, while As-Sb exchange is inhibited, allowing to keep the type-II structure. Sb is only redistributed within the capping layer giving rise to a more homogeneous composition.

Más información

ID de Registro: 16349
Identificador DC: http://oa.upm.es/16349/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:16349
Identificador DOI: 10.1063/1.4773008
URL Oficial: http://apl.aip.org/resource/1/applab/v101/i25/p253112_s1?ver=pdfcov
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 27 Jul 2013 10:40
Ultima Modificación: 21 Abr 2016 16:39
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