Selective area growth and characterization of InGaN nano-disks implemented in GaN nanocolumns with different top morphologies

Albert, Steven; Bengoechea Encabo, Ana; Lefebvre, P.; Barbagini, Francesca; Sánchez García, Miguel Angel; Calleja Pardo, Enrique; Jahn, U. y Trampert, Achim (2012). Selective area growth and characterization of InGaN nano-disks implemented in GaN nanocolumns with different top morphologies. "Applied Physics Letters", v. 100 (n. 23); pp. 1-4. ISSN 0022-0248.

Descripción

Título: Selective area growth and characterization of InGaN nano-disks implemented in GaN nanocolumns with different top morphologies
Autor/es:
  • Albert, Steven
  • Bengoechea Encabo, Ana
  • Lefebvre, P.
  • Barbagini, Francesca
  • Sánchez García, Miguel Angel
  • Calleja Pardo, Enrique
  • Jahn, U.
  • Trampert, Achim
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Applied Physics Letters
Fecha: Junio 2012
Volumen: 100
Materias:
Palabras Clave Informales: gallium compounds, III-V semiconductors, indium compounds, nanofabrication, nanostructured materials, photoluminescence, semiconductor growth, wide band gap semiconductors
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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URL Oficial: http://apl.aip.org/resource/1/applab/v100/i23/p231906_s1

Resumen

This work reports on the morphology control of the selective area growth of GaN-based nanostructures on c-plane GaN templates. By decreasing the substrate temperature, the nanostructures morphology changes from pyramidal islands (no vertical m-planes), to GaN nanocolumns with top semipolar r-planes, and further to GaN nanocolumns with top polar c-planes. When growing InGaN nano-disks embedded into the GaN nanocolumns, the different morphologies mentioned lead to different optical properties, due to the semi-polar and polar nature of the r-planes and c-planes involved. These differences are assessed by photoluminescence measurements at low temperature and correlated to the specific nano-disk geometry.

Más información

ID de Registro: 16459
Identificador DC: http://oa.upm.es/16459/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:16459
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 16 Jul 2013 18:01
Ultima Modificación: 21 Abr 2016 16:45
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