Electrical, photoelectrical and morphological properties of ZnO nanowire networks grown on SiO2 and on Si

Celeste Vega, Nadia; Tirado, Mónica; Comedi, David; Rodríguez Domínguez, Andrés; Rodríguez Rodríguez, Tomás; Hughes, Gareth M.; Grovenor, Chris R.M. y Audebert, Fernando (2012). Electrical, photoelectrical and morphological properties of ZnO nanowire networks grown on SiO2 and on Si. En: "Materials Research Sao Paulo 2011", 30/09/2011 - 02/10/2011, Sao Paulo, Brasil. pp. 1-6.

Descripción

Título: Electrical, photoelectrical and morphological properties of ZnO nanowire networks grown on SiO2 and on Si
Autor/es:
  • Celeste Vega, Nadia
  • Tirado, Mónica
  • Comedi, David
  • Rodríguez Domínguez, Andrés
  • Rodríguez Rodríguez, Tomás
  • Hughes, Gareth M.
  • Grovenor, Chris R.M.
  • Audebert, Fernando
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Artículo)
Título del Evento: Materials Research Sao Paulo 2011
Fechas del Evento: 30/09/2011 - 02/10/2011
Lugar del Evento: Sao Paulo, Brasil
Título del Libro: Materials Research
Fecha: Diciembre 2012
Volumen: 16
Materias:
Palabras Clave Informales: nanostructures, semiconductors, ZnO, photoluminescence, photoconductivity
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Tecnología Electrónica [hasta 2014]
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

ZnO nanofibre networks (NFNs) were grown by vapour transport method on Si-based substrates. One type of substrate was SiO2 thermally grown on Si and another consisted of a Si wafer onto which Si nanowires (NWs) had been grown having Au nanoparticles catalysts. The ZnO-NFN morphology was observed by scanning electron microscopy on samples grown at 600 °C and 720 °C substrate temperature, while an focused ion beam was used to study the ZnO NFN/Si NWs/Si and ZnO NFN/SiO2 interfaces. Photoluminescence, electrical conductance and photoconductance of ZnO-NFN was studied for the sample grown on SiO2. The photoluminescence spectra show strong peaks due to exciton recombination and lattice defects. The ZnO-NFN presents quasi-persistent photoconductivity effects and ohmic I-V characteristics which become nonlinear and hysteretic as the applied voltage is increased. The electrical conductance as a function of temperature can be described by a modified three dimensional variable hopping model with nanometer-ranged typical hopping distances.

Más información

ID de Registro: 20104
Identificador DC: http://oa.upm.es/20104/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:20104
URL Oficial: http://www.scielo.br/scielo.php?pid=S1516-14392013005000030&script=sci_arttext
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 29 Sep 2013 10:44
Ultima Modificación: 21 Abr 2016 22:29
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